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J-GLOBAL ID：202502252452356155   整理番号：25A3042852

原子層堆積法で成膜した多結晶In₂O₃およびGa添加In₂O₃チャネル電界効果トランジスタにおける電界効果移動度の支配要因に関する考察

Discussion on dominant factors of field-effect mobility in atomic later deposited polycrystalline In₂O₃ and Ga-doped In₂O₃ channel field effect transistors

著者 (9件)： 高橋崇典 (奈良先端科学技術大学院大) ,  星井拓也 (東京科大) ,  霍間勇輝 (出光興産) ,  砂川美佐 (出光興産) ,  笘井重和 (出光興産) ,  PARK Jongho (東京科大) ,  玉元海樹 (東京科大) ,  角嶋邦之 (東京科大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM))
巻： 86th  ページ： ROMBUNNO.8a-N105-9  発行年： 2025年 
JST資料番号： Y0054C  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化インジウム ,  多結晶 ,  添加 ,  ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電界効果移動度 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 原子層堆積法 ,  電界効果トランジスタ ,  電気的特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 原子層堆積法 ,  成膜 ,  多結晶 ,  GA ,  チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果移動度 ,  支配 ,  要因