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J-GLOBAL ID：202502253494414388   整理番号：25A0684394

WSe₂/h-BN/WSe₂ヘテロ構造におけるΓ-ΓトンネルとK-Γトンネルの選択的検出

Selective detection of Γ-Γ tunneling and K-Γ tunneling in WSe₂/h-BN/WSe₂ heterostructures

著者 (9件)： 木下圭 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  川崎盛矢 (東大 生産技研) ,  小野寺桃子 (東大 生産技研) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.23p-31B-2  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 複数層のWSe2において、膜厚方向の量子閉じ込め効果に起因したサブバンドが価電子帯のΓ点に形成される。これに伴い、価電子帯のバンド端(VBM)は単層WSe2ではK点に存在するが、複数層になるとΓ点に位置する[Fig. 1a]。そのため、Fi...【本文一部表示】

シソーラス用語： 共鳴 ,  低温 ,  電圧 ,  電流 ,  フォノン ,  電流電圧特性 ,  トンネル接合 ,  電流密度 ,  価電子バンド ,  二次元 ,  量子閉込め ,  負性微分抵抗 ,  *ヘテロ構造 ,  バンド端
準シソーラス用語： トンネル電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： h-BN ,  ヘテロ構造 ,  トンネル