文献
J-GLOBAL ID：202502259638172156
整理番号：25A0582677
RFマグネトロンスパッタ法によるSi基板直上へのY添加強誘電体HfO2薄膜の作製
Growth of Y-doped HfO2 ferroelectric thin films on Si substrates by RF magnetron sputtering
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資料名：
巻：
37th
ページ：
ROMBUNNO.1PC03pm (WEB ONLY)
発行年：
2024年09月03日
JST資料番号：
L2240C
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
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酸化物薄膜
, 強誘電体,反強誘電体,強弾性
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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