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J-GLOBAL ID：202502265641574879   整理番号：25A0158708

SiC基板上バッファー層への水素インターカレーション初期状態の電子状態

The Electronic state of the initial stage of hydrogen intercalation into the buffer layer on the SiC substrate.

著者 (10件)： 飯盛拓嗣 (東大 物性研) ,  田中夏帆 (九大 大学院) ,  片野達貴 (東京工大) ,  加賀大暉 (東京工大) ,  小澤健一 (高エネルギー加速器研究機構) ,  間瀬一彦 (高エネルギー加速器研究機構) ,  VISIKOVSKIY Anton (九大 大学院) ,  田中悟 (九大 大学院) ,  小森文夫 (東京工大) ,  中辻寛 (東京工大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 79  号： 2  ページ： ROMBUNNO.16pPSB-56  発行年： 2024年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： SiC(0001)基板を加熱すると、(0001)表面上にC原子がグラフェンと同じ構造を持つ単原子層構造(バッファー層)が形成されるが、一部C原子が基板のSiと共有結合しているため、グラフェンのようなmasslessな線型電子状態を持たない。...【本文一部表示】

シソーラス用語： 炭化ケイ素基板 ,  *バッファ層 ,  *ナノグラフェン ,  化学蒸着 ,  水素 ,  顕微Raman分光法 ,  *電子状態 ,  ARPES ,  *インターカレーション ,  薄膜成長
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  SiC基板

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC基板 ,  バッファー層 ,  水素 ,  インターカレーション ,  初期状態 ,  電子状態