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J-GLOBAL ID：202502267657402246   整理番号：25A0582689

SrTiO₃単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr_0.2Ti_0.8)O₃薄膜の成長基板による誘電チューナブル特性への影響

Impact of substrate on dielectric tunable properties in epitaxial Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃ films with different thickness

著者 (8件)： 高橋良 (防衛大) ,  江原祥隆 (防衛大) ,  澤井眞也 (防衛大) ,  濱嵜容丞 (防衛大) ,  西田謙 (防衛大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  NOVAK Nicola (Jozef Stefan Inst.)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)
巻： 37th  ページ： ROMBUNNO.1PC15pm (WEB ONLY)  発行年： 2024年09月03日 
JST資料番号： L2240C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： チタン酸ストロンチウム ,  単結晶基板 ,  *エピタクシー ,  *チタン酸ジルコニウム酸バリウム ,  *誘電性 ,  *誘電体薄膜 ,  ペロブスカイト型構造 ,  結晶構造 ,  パルスレーザ蒸着 ,  可変性 ,  膜厚依存性 ,  膜厚 ,  優先配向 ,  誘電率
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶基板 ,  エピタキシャル成長 ,  Ba ,  O3 ,  薄膜 ,  成長 ,  チューナ