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J-GLOBAL ID：202502271036758201   整理番号：25A0161124

リバースモンテカルロ法によるSi結晶中のAs_xBクラスターの原子位置の評価

Evaluation of atomic positions of As_xB cluster in Si crystal by reverse Monte Carlo method

著者 (7件)： 吉田桃子 (奈良先端科学技術大学院大) ,  橋本由介 (奈良先端科学技術大学院大) ,  SUN Z. (奈良先端科学技術大学院大) ,  盛喜琢也 (奈良先端科学技術大学院大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  松下智裕 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 79  号： 2  ページ： ROMBUNNO.19aWB105-9  発行年： 2024年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 半導体デバイスの性能を向上させるには、半導体中のキャリア密度の増加が重要である。しかし、SiにAsを過剰にドープすると、電気的に不活性なAsxVクラスターが形成される[1]。そこで、SiにAsとBを共ドープすることで、電気的に活性なAsxB...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ヒ素化合物 ,  ホウ化物 ,  *モンテカルロ法 ,  *クラスタ ,  *結晶性シリコン ,  位置測定 ,  キャリア密度 ,  半導体素子 ,  ケイ素 ,  ヒ素 ,  共ドーピング ,  原子配列 ,  円偏光二色性 ,  結晶方位 ,  シミュレーション ,  平均二乗誤差
準シソーラス用語： *リバースモンテカルロ法

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： リバース ,  モンテカルロ法 ,  Si結晶 ,  クラスター ,  原子 ,  評価