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J-GLOBAL ID：202502281611314634   整理番号：25A0683642

SiC pMOSFETのチャージポンピング法によるゲート酸化膜界面評価

Interface evaluation of SiC pMOSFET with charge pumping method

著者 (7件)： 阿野響太郎 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  依田孝 (東京工大) ,  大場隆之 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.22p-P04-16  発行年： 2024年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.SiC MOSFETのチャージポンピング法による界面準位測定ではチャージポンピング電流(Icp)が絶縁膜との界面準位における再結合以外のMOSFET構造起因の再結合が重畳される[1]。これはSiC MOSFETは比較的低移動度...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  キャリア移動度 ,  再結合 ,  焼なまし ,  電流 ,  表面準位 ,  アルミニウム ,  *MOSFET ,  イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  パルス ,  絶縁膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *pMOSFET ,  立下り時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  pMOSFET ,  チャージ ,  ポンピング ,  ゲート酸化膜 ,  界面 ,  評価