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J-GLOBAL ID：202502291217509973   整理番号：25A0734728

CeO₂-HfO₂-ZrO₂薄膜の格子間隔と強誘電性の評価

Lattice spacing and ferroelectric properties of CeO₂-HfO₂-ZrO₂ thin films

著者 (8件)： 下野園航平 (東京工大) ,  前川芳輝 (東京工大) ,  茶谷那知 (東京工大) ,  岡本一輝 (東京工大) ,  山岡和希子 (TDK) ,  川島康 (TDK) ,  井上ゆか梨 (TDK) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.18p-B3-9  発行年： 2024年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】HfO2基強誘電体は、2011年に強誘電性が報告され[1]、CMOSプロセスとの高い整合性や微細加工の容易さから高集積可能な新たな強誘電体材料としての注目が集まっている。HfO2基強誘電体はHfO2-ZrO2やYO1.5-HfO2を...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  強誘電体 ,  ターゲット ,  電場 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  分極 ,  *酸化ジルコニウム ,  *強誘電性 ,  *酸化ハフニウム ,  電気特性 ,  斜方晶系 ,  パルスレーザ蒸着 ,  薄膜形成 ,  YSZ【セラミック】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： CeO2 ,  HfO2 ,  ZrO2 ,  薄膜 ,  格子間隔 ,  強誘電性 ,  評価