特許

J-GLOBAL ID：202503005840272240

圧電薄膜、及び圧電薄膜素子

発明者： 井上 ゆか梨 ,  小野 裕之 ,  文 宇 ,  舟窪 浩 ,  岡本 一輝 ,  平井 浩司
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  国立大学法人東京科学大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-192421
公開番号（公開出願番号）：特開2025-079626
出願日： 2023年11月10日
公開日（公表日）： 2025年05月22日
要約：

【課題】圧電特性に優れた圧電薄膜を提供する。 【解決手段】圧電薄膜3は、金属酸化物を含む。圧電薄膜3は、第一主面s1と、第一主面s1の裏側に位置する第二主面s2を有する。金属酸化物は、ハフニウムを含む。金属酸化物は、蛍石型結晶構造を有する結晶相を含む。結晶相は、直方晶及び正方晶のうち一つ又は両方を含む。結晶相の第一格子面LP1は、(111)面、(100)面、又は(110)面である。結晶相の第二格子面LP2は、(111)面、(100)面、又は(110)面であり、第二格子面LP2は第一格子面LP1とは異なる格子面である。第一格子面LP1の一部は、第一主面s1の法線方向dn1において配向している。第二格子面LP2の一部は、第二主面s2の法線方向dn2において配向している。第一格子面LP1及び第二格子面LP2それぞれが配向する方向は、結晶相内で変化する。 【選択図】図5

請求項（抜粋）：

金属酸化物を含む圧電薄膜であって、 前記圧電薄膜は、第一主面と、前記第一主面の裏側に位置する第二主面と、を有し、 前記金属酸化物は、ハフニウムを含み、 前記金属酸化物は、蛍石型結晶構造を有する結晶相を含み、 前記結晶相は、直方晶及び正方晶のうち少なくとも一種の結晶を含み、 前記結晶相の第一格子面は、(111)面、(100)面、及び(110)面からなる群より選ばれる一つの格子面であり、 前記結晶相の第二格子面は、(111)面、(100)面、及び(110)面からなる群より選ばれる一つの格子面であり、且つ前記第二格子面は前記第一格子面とは異なる格子面であり、 前記第一格子面の一部は、前記第一主面の法線方向において配向しており、 前記第二格子面の一部は、前記第二主面の法線方向において配向しており、 前記第一格子面が配向する方向は、前記結晶相内で変化し、 前記第二格子面が配向する方向は、前記結晶相内で変化する、 圧電薄膜。

IPC (5件)：

H10N 30/853 ,  H10N 30/87 ,  H10N 30/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35

FI (5件)：

H10N30/853 ,  H10N30/87 ,  H10N30/06 ,  C23C14/08 F ,  C23C14/35

Fターム (11件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA10 ,  4K029BA15 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152566   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 国際公開第2016/031986号パンフレット
  
• 特許第7061752号公報