特許
J-GLOBAL ID:202503006448464812
窒化マグネシウムケイ素膜、圧電体及び圧電素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 財部 俊正
, 石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2023-222941
公開番号(公開出願番号):特開2025-104821
出願日: 2023年12月28日
公開日(公表日): 2025年07月10日
要約:
【課題】圧電特性を有する窒化マグネシウムケイ素膜、圧電体及び圧電素子を提供すること。
【解決手段】窒化マグネシウムケイ素膜は、マグネシウム、シリコン、及び窒素を含み、結晶相が六方晶を含む。圧電体及び圧電素子は、上記窒化マグネシウムケイ素膜を備える。窒化マグネシウムケイ素膜はアルミニウムを含んでよい。窒化マグネシウムケイ素膜に含まれる六方晶はウルツ型構造であってよい。窒化マグネシウムケイ素膜の厚みは2000nm以下であってよい。
【選択図】図1
請求項(抜粋):
マグネシウム、シリコン、及び窒素を含み、結晶相が六方晶を含む、窒化マグネシウムケイ素膜。
IPC (3件):
C23C 14/06
, C23C 14/35
, H10N 30/853
FI (3件):
C23C14/06 E
, C23C14/35 Z
, H10N30/853
Fターム (11件):
4K029AA06
, 4K029BA01
, 4K029BA35
, 4K029BA58
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC12
, 4K029DC39
, 4K029EA03
, 4K029EA08
, 4K029FA01
引用特許:
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