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J-GLOBAL ID:200902264945249772   整理番号:07A1216146

ドライエッチングに露出した表面を有するGaN層のSAW特性

SAW characteristics of GaN layers with surfaces exposed by dry etching
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 19  ページ: 501-505 (J-STAGE)  発行年: 2005年 
JST資料番号: U0039A  ISSN: 1349-2543  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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電子デバイスとGaN上の弾性表面波(SAW)デバイスのモノリ...
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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弾性表面波デバイス 
引用文献 (7件):
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タイトルに関連する用語 (3件):
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