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J-GLOBAL ID：200902288460239864   整理番号：04A0503868

SiC基板上に試作した高出力二重ゲートAlGaN/GaN HEMTミキサ

High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates

著者 (7件)： SHIOJIMA K (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMURA T (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  KOSUGI T (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SUGITANI S (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA N (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 40  号： 12  ページ： 775-776  発行年： 2004年06月10日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のHEMTを製造し,2GHzおよび5GHzにおける最大出...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (2件)： 周波数変換回路  (NC05030J) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC基板 ,  試作 ,  高出力 ,  二重ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ミキサ