特許
J-GLOBAL ID：200903057087150493

窒化インジウム系化合物半導体の積層方法

発明者：
東脇 正高

東脇 正高 について


出願人/特許権者：
独立行政法人通信総合研究所

独立行政法人通信総合研究所 について


代理人 (1件)： 福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391754
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192497
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 結晶性に優れた高品質で、かつ基板と高い密着性を有する窒化インジウム系化合物半導体の素子を実現する。【解決手段】 分子線エピタキシー成長法により第1バッファ層としての低温AlGaN層をサファイア基板上に積層し、分子線エピタキシー成長法により第2バッファ層としての低温InAlGaN層を第1バッファ層上に積層し、この第2バッファ層の上に窒化インジウム系化合物半導体層を高温で成長させることで、サファイア基板上へ格子不整合の大きい窒化インジウム系化合物半導体を良好に密着させると共に、結晶性に優れた窒化インジウム系化合物半導体の素子を実現する。
請求項（抜粋）：
窒化インジウム系化合物半導体を単結晶基板上に積層する窒化インジウム系化合物半導体の積層方法であって、窒素源としてRFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを用いる分子線エピタキシー成長法により、単結晶基板上にAlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の第1バッファ層を形成し、該第1バッファ層上に分子線エピタキシー成長法によりInaAlbGa1-a-bN(0.5≦a≦1,0≦b≦0.5,0≦a+b≦1)で表される窒化インジウム系化合物半導体の第2バッファ層を形成し、該第2バッファ層上にIncAldGa1-c-dN(0.5≦c≦1,0≦d≦0.5,0≦c+d≦1)で表される窒化インジウム系化合物半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする窒化インジウム系化合物半導体の積層方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 33/00 C
Fターム (13件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SC02 ,  5F041AA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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