半導体受光素子の製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135823
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の側面の一部を逆メサ状に加工して光路変更機能を付加し、半導体基板側面から入射した光を光吸収層に導くことを特徴とする端面屈折型半導体受光素子の製造法を提供することを課題とする。【解決手段】少なくとも入射光に対し透明な半導体基板101上に形成された入射光に対し透明な第1の半導体層102と、前記基板上に形成された入射光を吸収するバンドギャップの第2の半導体層103とを有し、前記基板の側面が、前記基板の主面の垂線に対し斜めに形成された面と、前記基板の主面の垂線に対し平行に形成された面とを含んで構成されている端面屈折型半導体受光素子の製造法において、前記基板を厚さ方向の一部において表面から斜めに溝状にダイシングすることにより、前記斜めに形成された側面105を形成する工程と、前記溝部が形成された基板に機械的な力を加えることにより、前記溝部の底面位置において、基板を劈開106させる工程とを有するものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも入射光に対し透明な半導体基板あるいは前記基板上に形成された入射光に対し透明な第1の半導体層と、前記基板上に形成された入射光を吸収するバンドギャップの第2の半導体層とを有し、前記基板の側面が、前記基板の主面の垂線に対し斜めに形成された面と、前記基板の主面の垂線に対し平行に形成された面とを含んで構成されている端面屈折型半導体受光素子の製造法において、前記基板を厚さ方向の一部において表面から斜めに溝状にダイシングすることにより、前記斜めに形成された側面を形成する工程と、前記溝部が形成された基板に機械的な力を加えることにより、前記溝部の底面位置において、基板を劈開させる工程とを有することを特徴とする半導体受光素子の製造法。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 21/78 U

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-105985
半導体受光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212406 出願人：富士通株式会社
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-067662 出願人：富士通株式会社

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