特許
J-GLOBAL ID：200903070285872603

表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置

発明者：
竹内 日出雄

竹内 日出雄 について

, 
山本 佳嗣

山本 佳嗣 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316818
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128502
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたFK振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。【解決手段】半導体試料5の表面に励起光源9によるポンプ光を変調器12を介して照射すると共に、白色光源1によるプローブ光を照射し、上記半導体試料5の表面で反射されたプローブ光の光変調スペクトルをPR信号用検出器8で測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度の関係にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出する。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
半導体の表面にポンプ光を変調器を介して照射すると共に、プローブ光を照射し、半導体の表面で反射された上記プローブ光の光変調スペクトルを測定し、上記光変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期にもとづいて表面電場強度を算出すると共に、上記表面電場強度とプローブ光強度にもとづいて表面再結合速度と表面フェルミ準位とを算出することを特徴とする表面キャリア再結合速度の測定方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 M
Fターム (7件)：
4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB10 ,  4M106CB13 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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