光検出器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-198591
公開番号（公開出願番号）：特開2009-038071
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

【課題】信頼性が高く、暗電流が小さく、光感度分布の平坦性が良く、かつ、高感度な光検出器を提供する。【解決手段】第一導電形ワイドギャップエミッタ16、第二導電形ナロウギャップベース15、第一導電形コレクタ14よりなる光検出器において、光を吸収する光吸収層13は、ベース15及びコレクタ14のバンドギャップより小さなバンドギャップを有する井戸層が多重に積層して構成された多重量子井戸構造により構成され、光吸収層13はコレクタ14内に配置され、光吸収層13を構成するそれぞれの井戸層はそれぞれ厚さが異なるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一導電形ワイドギャップエミッタ、第二導電形ナロウギャップベース、第一導電形コレクタよりなる光検出器において、光を吸収する光吸収層は、前記ベース及び前記コレクタのバンドギャップより小さなバンドギャップを有する井戸層が多重に積層して構成された多重量子井戸層構造により構成され、前記光吸収層はコレクタ内に配置され、該光吸収層を構成するそれぞれの前記井戸層はそれぞれ厚さが異なることを特徴とする光検出器。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (6件)：

5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA05 , 5F049PA04 , 5F049QA03 , 5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平3-165071
特開平4-125976
特開平4-218961

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引用文献：

審査官引用 (1件)

A Comparative Study of Strain Relaxation Effects on the Performance of InGaAs Quantum-Well-Based Het

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