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J-GLOBAL ID:201102227012623474   整理番号:11A0295499

有機分子性固体における電界効果キャリア注入と物性制御

Field-effect Carrier Doping to Organic Molecular Crystals
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 27-32 (J-STAGE)  発行年: 2011年 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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電界効果トランジスタ(FET)では電界効果によって誘電絶縁膜と半導体活性層界面にキャリヤを注入して半導体側界面にチャネル域を形成させている。誘導絶縁膜の静電容量増加のために薄いSiO2絶縁膜を用いるとリーク電流が大きくなる問題がある。キャリヤドーピングによる物性の改良研究が行われ,高κゲート誘電および電気二重層キャパシターのトランジスターが研究され,低圧操作が達成されている。最近,イオン液体[N,N-ジエチル-N-メチル-N-(2-メトキシエチル)アンモニウム][ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド]などを使って電気二重層を形成させて高濃度のキャリヤを注入する試みがなされ,電位窓の広がりおよび超伝導転移が見られた。イオン液体では蓄積キャリアを増大できるためか HOMO-LUMOギャップに対応する電位窓があり,イオン液体自身の分解を生じる問題点もある。イオン液体に[1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム][ヘキサフルオロホスファート]を用いるとピセン,フェナセチンの良好なFET動作が見られている。バンド輸送的な特性を持つ有機活性層を対象に高キャリア注入を行うと物性制御が良好となった。
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トランジスタ 
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