特許
J-GLOBAL ID:201103057415189082

水素吸着検知センサ及び水素吸着検知装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松浦 康次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-261316
公開番号(公開出願番号):特開2011-106928
出願日: 2009年11月16日
公開日(公表日): 2011年06月02日
要約:
【課題】コンパクトで、かつ、設計・測定の自由度の高い水素吸着検知センサ及び水素吸着検知装置を提供する。【解決手段】水素吸着検知センサ1は、光が入射及び反射する受光表面2aを有した基板2と、受光表面2a上に設けられたパラジウム薄膜層4と、を少なくとも備える。パラジウム薄膜層4又は基板2はグレーティングを構成し、パラジウム薄膜層4に水素分子が吸着する。また、グレーティングは平行に並んだ多数の矩形溝によって形成されることが好ましい。グレーティングのピッチは1μm〜2μmであることが好ましい。パラジウム薄膜層4の層厚さは1〜20nmであることが好ましい。パラジウム薄膜層4と基板2との間には少なくとも一つの内側薄膜層3をさらに備え、内側薄膜層3は金、銀、銅、又はアルミニウムを含むことが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光が入射及び反射する受光表面を有した基板と、 前記受光表面上に設けられ、かつ、パラジウムを含んだ薄膜層と、 を備え、 前記基板は金、銀、銅、又はアルミニウムを含み、 前記パラジウム薄膜層又は/及び前記基板がグレーティングを構成し、かつ、 前記パラジウム薄膜層に水素分子が吸着することを特徴とする水素吸着検知センサ。
IPC (1件):
G01N 21/27
FI (1件):
G01N21/27 C
Fターム (10件):
2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC02 ,  2G059EE02 ,  2G059FF04 ,  2G059GG01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ19
引用特許:
審査官引用 (7件)
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