特許
J-GLOBAL ID：201103073556328421
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中尾 直樹
, 中村 幸雄
, 草野 卓
, 稲垣 稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175369
特許番号：特許第3816484号
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、
上記クラスターが2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスターとされ、
その混成クラスターに、Ar,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれており、
上記混成クラスターを生成するためのAr,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類のガスと、上記薄膜を形成する成分のガスとの体積比を1:1〜50:1の範囲内に設定することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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