特許
J-GLOBAL ID：201503018327831755

SiOxを用いた蛍光体の被覆方法

発明者：
戸田 健司

戸田 健司 について

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佐藤 峰夫

佐藤 峰夫 について

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上松 和義

上松 和義 について

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石垣 雅

石垣 雅 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 新潟大学

国立大学法人 新潟大学 について


代理人 (1件)： 松浦 康次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-249683
公開番号（公開出願番号）：特開2012-102184
特許番号：特許第5750775号
出願日： 2010年11月08日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 予め合成された蛍光体粉末を還元雰囲気ガス中に載置し、前記蛍光体粉末に向けて気相状態のSiOx(0.8≦x≦1.2)を供給して、前記蛍光体粉末の外周表面にSiO2を被覆することを特徴とする蛍光体の被覆方法。
IPC (1件)：
C09K 11/08 ( 200 6.01)
FI (1件)：
C09K 11/08 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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