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J-GLOBAL ID:201602210747196975   整理番号:16A1028964

バイアス電流の動的リセットの導入によるLRバイアス低電力単一磁束量子回路の動作速度の向上【Powered by NICT】

Improvement of Operation Speed of LR-Biased Low-Power Single-Flux Quantum Circuits by Introduction of Dynamic Resetting of Bias Currents
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資料名:
巻: 26  号:ページ: ROMBUNNO.1301405.1-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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バイアス電流の動的リセット機構を持つ新しい誘導および抵抗-(LR)バイアス低電力単一磁束量子(SFQ)回路を提案した。バイアス電流は回路動作後バイアス回路におけるJosephson接合のスイッチングにより初期状態に戻るので,LRバイアスされたSFQ回路の動作周波数を改善することができる。提案したバイアス方式を採用し,バイアス電流回復時間を評価したJosephson伝送線路(JTL)をシミュレートした。回路シミュレーション結果は,提案した回路のバイアス電流回復時間は,従来のLRバイアスJTLのそれと比較して10~20%改善されることを示した。10段JTLと提案したバイアス方式を用いた8ビット並流シフトレジスタ(SR)を設計し,測定した。は70.4GHzまでの動作周波数で±29.4%のバイアスマージンでJTLの操作とオンチップ高速試験による12.3GHzまでの8ビットSRの動作を実験的に実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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Josephson接合・素子  ,  酸化物系超伝導体の物性 

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