特許

J-GLOBAL ID：201603009404281532

Ga2O3系結晶膜の成膜方法、及び結晶積層構造体

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265771
公開番号（公開出願番号）：特開2015-120620
特許番号：特許第5892495号
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Ga2O3系基板の面方位が(001)である主面上に、750°C以上かつ900°C以下の成長温度でGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、 Ga2O3系結晶膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/16 ,  C23C 14/08 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高機能性Ga2O3単結晶膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152984   出願人：日本軽金属株式会社, 国立大学法人京都大学
• 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-264892   出願人：日本軽金属株式会社

審査官引用 (2件)

• 高機能性Ga2O3単結晶膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152984   出願人：日本軽金属株式会社, 国立大学法人京都大学
• 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-264892   出願人：日本軽金属株式会社