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J-GLOBAL ID：202102238294067237   整理番号：21A1973084

Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開 強誘電体の電子構造-反電場効果により傾斜するバンド構造-

Electronic Structure of Ferroelectrics-Skewed Band Structure Induced by the Depolarizing Field-

著者 (6件)： 狩野旬 (Okayama Univ.) ,  押目典宏 (QST) ,  池永英司 (Nagoya Univ.) ,  安井伸太郎 (Tokyo Inst. Technol.) ,  日隈聡士 (AIST) ,  保井晃 (JASRI)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 56  号： 7  ページ： 463-466  発行年： 2021年07月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・酸化物強誘電体における反電場効果により傾斜するバンド構造について述べ,BaTiO₃(BTO)薄膜のバンド傾斜現象を初めて観測した結果を提示。
・強誘電体の構造相転移に伴う自発的電気分極の形成,薄膜化した系における電子トンネリングと整流性,分極配向にあわせたバンドの傾斜と電子伝導が生ずる理由などを説明。
・放射光を用いた角度分解硬X線光電子分光法により,BTO薄膜の結晶表面から内面に向かって価電子帯を含む原子軌道がエネルギーシフトすることを観測。
・FTJ(強誘電体トンネル接合)を用いた不揮発性メモリは,傾斜したバンド構造を利用して電気抵抗値を4桁変化させることで動作することを説明。

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *チタン酸バリウム ,  電場 ,  電場効果 ,  *バンド構造 ,  傾斜 ,  *誘電体薄膜 ,  構造相転移 ,  自発分極 ,  トンネル効果 ,  電気伝導 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  シンクロトロン放射 ,  価電子バンド ,  軌道 ,  トンネル接合 ,  不揮発性メモリ ,  電気抵抗 ,  電子構造
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法 ,  原子軌道 ,  電子トンネリング ,  反電場

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

引用文献 (17件)：

• N. Oshime et al., Sci Rep, 10, 10702 (2020).
• 上江洲由晃, ′′強誘電体 基礎原理および実験技術と応用′′, 内田老鶴圃 (2016) pp.1-2.
• D. J. Kim et al., Nano Lett., 12, 5697-5702 (2012).
• E. Y. Tsymbal and A. Gruverman, Nat. Mater., 12, 602-604 (2013).
• Z. Wen, C. Li, D. Wu, A. Li and N. Ming, Nat. Mater., 12, 617-621 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘電体材料 ,  研究 ,  展開 ,  強誘電体 ,  電子構造 ,  電場効果 ,  バンド構造