研究者
J-GLOBAL ID:200901001446553458   更新日: 2024年11月14日

川上 養一

カワカミ ヨウイチ | Kawakami Yoichi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  光工学、光量子科学 ,  結晶工学 ,  応用物性
競争的資金等の研究課題 (43件):
  • 2020 - 2025 発光シンセサイザー:究極の発光デバイス創成を目指して
  • 2020 - 2021 ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現
  • 2016 - 2021 近接場分光(SNOM)による特異構造の発光機構解明と制御
  • 2016 - 2021 総括班
  • 2016 - 2021 AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御
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論文 (353件):
  • Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA. 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser. Applied Physics Express. 2024
  • S Fukushige, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami. An Approach Toward Broader Emission Bands in Semipolar InGaN Quantum Wells on Convex Lens-Shaped GaN Microstructures via Lower-Temperature Growth. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2024
  • Y Kame, S Kaito, T Matsuyama, K Wada, M Funato, Y Kawakami, K Okamoto. High-efficiency green light emission from InGaN/GaN using localized surface plasmon resonance tuned by combination of Ag nanoparticles and dielectric thin film. OPTICS EXPRESS. 2024. 32. 12. 21389-21399
  • K Takemura, T Fukui, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of High-Quality GaN on Al-Pretreated Sapphire Substrates Without Using Low-Temperature Buffer Layers. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2024
  • Y Matsuda, H Miyawaki, M Funato, Y Kawakami. Spontaneously Integrated Multicolor InGaN Micro-Light-Emitting Diodes for Spectrum-Controllable Broadband Light Sources. PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS. 2024
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MISC (108件):
  • Yoichi Kawakami, Hideki Hirayama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Yoshitaka Taniyasu. Deep ultraviolet light sources for post-COVID-19 sustainable society FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. 11
  • 石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一. 深紫外CW・時間分解PL分光法による12C/13C超格子の光学特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
  • 立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫. アルミニウム被覆InGaN/GaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強に対する顕微フォトルミネセンスマッピング. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
  • 岡本晃一, 立石和隆, WANG Pangpang, 龍崎奏, 船戸充, 川上養一, 玉田薫. プラズモニクスによるInGaN/GaN量子井戸の発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング. プラズモニクスシンポジウム. 2018. 15th
  • 石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一. 深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th
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特許 (22件):
書籍 (13件):
  • 半極性・半極性面上新規高効率発光デバイスワイドギャップ半導体-あけぼのから最前線へー
    培風館 2013 ISBN:4563067873
  • フォトニックナノ構造の最近の進展, 第9章, pp.167-184
    シーエムシー出版 2011
  • レアメタル便覧
    丸善 2011 ISBN:9784621082768
  • 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性, 第2章, pp.104-118
    シーエムシー出版 2009
  • 発光と受光の物理と応用
    培風館 2008
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講演・口頭発表等 (58件):
  • Control of radiative recombination rate and polarization degree in nitride-based semiconductors
    (the 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015)
  • Radiative and nonradiative recombination processes in Al-rich AlGaN-based materials
    (日本学術振興会第162委員会 日独西ワークショップ 2015)
  • Recombination dynamics in nitride semiconductors
    (7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2015)
  • InGaN系緑色レーザ構造の発光マッピングと光利得特性
    (第356回蛍光体同学会講演会 2015)
  • 窒化物半導体の光物性解明と制御 -波長フロンティア開拓に向けて-
    (電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 2015)
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学歴 (4件):
  • - 1989 大阪大学 工学研究科 電気工学
  • - 1989 大阪大学
  • - 1984 大阪大学 工学部 電気工学科
  • - 1984 大阪大学
学位 (2件):
  • 工学博士
  • 工学博士
所属学会 (2件):
レーザー学会 ,  応用物理学会
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