特許

J-GLOBAL ID：200903022846194729

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 小島 一信 ,  川上 養一 ,  船戸 充 ,  長濱 慎一 ,  枡井 真吾
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学 ,  日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239326
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071127
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】窒化物半導体レーザ素子における内部電界を最小限に止め、高い発光効率を有する長波長の窒化物半導体レーザ素子を実現することを目的とする。【解決手段】AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成されたInyGa1-yN(0<y≦1)からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体層の成長面が、C面{0001}とのなす角度がθである面を含み、かつ前記窒化物半導体層及び活性層が、 x>(5.3049-0.09971θ+0.0005496θ2)y+(-0.74714+0.01998θ-0.00012855θ2)を満足する組成である窒化物半導体レーザ素子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる層を含む窒化物半導体層と、 該窒化物半導体層上に形成されたInyGa1-yN(0<y≦1)からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、 前記窒化物半導体層の成長面として、C面{0001}とのなす角度がθ°である面を含み、かつ 前記窒化物半導体層及び活性層が、 x>(5.3049-0.09971θ+0.0005496θ2)y+(-0.74714+0.01998θ-0.00012855θ2) (a) を満足する組成であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/223

FI (2件)：

H01S5/343 610 ,  H01S5/223

Fターム (16件)：

5F173AA05 ,  5F173AF04 ,  5F173AF15 ,  5F173AF35 ,  5F173AF55 ,  5F173AH22 ,  5F173AH23 ,  5F173AH49 ,  5F173AL13 ,  5F173AL16 ,  5F173AP05 ,  5F173AP84 ,  5F173AR02 ,  5F173AR23 ,  5F173AR43 ,  5F173AR61

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物系半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284330   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-006300   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038138   出願人：富士通株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213516   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272321   出願人：株式会社日立製作所