研究者
J-GLOBAL ID:200901015600062480
更新日: 2022年09月04日
吉田 正裕
ヨシタ マサヒロ | Yoshita Masahiro
所属機関・部署:
旧所属 東京大学 物性研究所 先端分光研究部門
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職名:
助手
ホームページURL (1件):
http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/iabs/spectroscopy/akiyama/
研究分野 (4件):
電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件):
電子・電気材料工学
, 応用物性・結晶工学
, 固体物性(]G0001[) (光物性・半導体・誘電体)
, Electronic and Electric Materials Engineering
, Semiconductor and Dielectrics)
, Solid-State Physics I (Optical Properties
競争的資金等の研究課題 (4件):
高空間分解能を有する顕微分光計測に関する研究
半導体量子構造の光物性に関する研究
Study on Optical Spectroscopy with spatially high resolution
Study on Optical Properties in Semiconductor Quantum Microstructures
MISC (11件):
T Unuma, T Takahashi, T Noda, M Yoshita, H Sakaki, M Baba, H Akiyama. Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2001. 78. 22. 3448-3450
Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Loren N. Pfeiffer, Ken W. West. Formation of Flat Monolayer-step-free(110)GaAs Surfaces by Growth Interruption Annealing during Cleaved-edge Epitaxial Overgrowth. Japanese Journal of Applied Physics, Part2. 2001. 40. 3B. L252-L254
Large terrace formation and modulated electronic states in(110)GaAs quantum wells. Physical Review B. 2001. 63. 075305(9)
吉田 正裕, 小山 和子, 馬場 基芳, 秋山 英文. ソリッドイマージョンレンズを用いた顕微蛍光計測法. 日本物理学会誌. 2000. 55. 10. 772-778
S Watanabe, S Koshiba, M Yoshita, H Sakaki, M Baba, H Akiyama. Microscopy of electronic states contributing to lasing in ridge quantum-wire laser structure. APPLIED PHYSICS LETTERS. 1999. 75. 15. 2190-2192
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学位 (2件):
工学修士
博士(理学)
所属学会 (2件):
日本物理学会
, 応用物理学会
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