研究者
J-GLOBAL ID：200901018708640195   更新日: 2024年11月19日

神谷 利夫

カミヤ トシオ | Kamiya Toshio
所属機関・部署：
東京科学大学 国際先駆研究機構

東京科学大学 国際先駆研究機構 について


職名： 教授
研究分野 (1件)： 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件)： Electronic structure ,  Electrical properties: electronic conduction ,  Solid-state devices ,  電子構造 ,  電気物性:電子伝導 ,  固体デバイス
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2004 - nanodevice
  • 2004 - ナノデバイス
  • 2002 - 2002 semiconductor
  • 2002 - 2002 半導体
  • Calculation of Properties by ab-initio method
全件表示
論文 (61件)：
  • Atsushi Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya. Room-Temperature Possible Current-Induced Transition in Ca2RuO4 Thin Films Grown Through Intercalation-Like Cation Diffusion in the A2BO4 Ruddlesden-Popper Structure. Small Methods. 2024
  • Christian A. Niedermeier, Junichi Yamaura, Jiazhen Wu, Xinyi He, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. New crystal structure built from a GeO6-GeO5 polyhedra network with high thermal stability: b-SrGe2O5. ACS Appl. Electron. Mater. 2019. 1. 1989-1993
  • Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide. physica status solidi (a). 2018. 1800198
  • Keisuke Ide, Kyohei Ishikawa, Haochun Tang, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. Effects of impurity hydrogen in amorphous In-Ga-Zn-O: ultralow optimum oxygen supply for ultrahigh vacuum sputtering and bandgap widening by impurity hydrogen. physica status solidi (a). 2018. 8. 1700832
  • Takeshi Inoue, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. Nonequilibrium Rock-Salt-Type Pb-Doped SnSe with High Carrier Mobilities approximate to 300 cm(2)/(Vs). CHEMISTRY OF MATERIALS. 2016. 28. 7. 2278-2286
もっと見る
MISC (491件)：
もっと見る
書籍 (29件)：
  • Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007
    2008
  • Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007
    2008
  • 薄膜トランジスタ
    コロナ社 2008
  • 酸化物薄膜トランジスタ: 透明結晶TFTからフレキシブルアモルファスTFTまで
    シーエムシー出版 2007
  • 自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用 「材料開発のための顕微鏡法と応用写真集」
    日本金属学会 2006
もっと見る
講演・口頭発表等 (17件)：
  • Low Temperature Oxidation of Si Using Novel Ceramic Atomic Oxygen Source
    (The Third International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3) 2009)
  • What have been clarified for amorphous oxide semiconductors?
    (IDMC窶「3DSA窶「Asia Display'09 2009)
  • Amorphous oxide semiconductor: Factors determining TFT performance and stability
    (9th Int. Meeting on Inf. Display (IMID2009) 2009)
  • Defects and doping in amorphous oxide semiconductor studied by first-principles calculations
    (Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009)
  • Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds
    (Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009)
もっと見る
Works (3件)：
  • CREST, "Neosilicon: A Novel Functional Material for Future Electronics"
    1999 - 2002
  • CREST, 「ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索」
    1999 - 2002
  • 物質・材料の自己組織化機構の解析と制御に関する研究
    1996 - 2000
学歴 (3件)：
  • - 1991 東京工業大学
  • - 1991 東京工業大学大学院 理工学研究科 無機材料工学専攻
  • - 1990 東京工業大学 工学部 無機材料工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京工業大学)
経歴 (6件)：
  • 2002 - 2003 :
  • 2002 - 2003 :東京工業大学 講師
  • 2003 - -:
  • 2003 - -:東京工業大学 助教授
  • 1991 - 2002 :
全件表示
受賞 (5件)：
  • 2007 - The Commendation for Science and Technology by the Minister of Education, Culture, Sports, Science and Technology, The Young Scientists' Prize
  • 2007 - H19年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞
  • 2005 - 第19回(2005年度)独創性を拓く 先端技術大賞 企業・産学部門 特別賞
  • 2005 - 薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード
  • 1998 - DV-Xα研究協会 研究奨励賞
所属学会 (5件)：
Material Research Society ,  応用物理学会 ,  DV-Xα研究協会 ,  Material Research Society ,  日本セラミックス協会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM