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J-GLOBAL ID：201002246341657638   整理番号：10A0389028

(La,Sr)(Al,Ta)O₃双晶基板上のCoをドープしたBaFe₂As₂エピタキシャル膜におけるJosephson接合

Josephson junction in cobalt-doped BaFe₂As₂ epitaxial thin films on (La,Sr)(Al,Ta)O₃ bicrystal substrates

著者 (7件)： KATASE Takayoshi (Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama ...) ,  ISHIMARU Yoshihiro (Superconductivity Res. Lab., International Superconductivity Technol. Center (ISTEC), 10-13 Shinonome 1-chome ...) ,  TSUKAMOTO Akira (Superconductivity Res. Lab., International Superconductivity Technol. Center (ISTEC), 10-13 Shinonome 1-chome ...) ,  HIRAMATSU Hidenori (Frontier Res. Center, S2-6F East, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama ...) ,  KAMIYA Toshio (Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama ...) ,  TANABE Keiichi (Superconductivity Res. Lab., International Superconductivity Technol. Center (ISTEC), 10-13 Shinonome 1-chome ...) ,  HOSONO Hideo (Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 14  ページ： 142507  発行年： 2010年04月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (La,Sr)(Al,Ta)O₃双晶[001]傾斜基板上のCoをドープしたBaFe₂As₂エピタキシャル膜に於いてJosephson接合を作製した。30°傾斜双晶の結晶粒界に張られた10μm幅のマイクロブリッジ(BGB bridge)は抵抗シャント接合(RSJ)様の電流ー電圧特性を17Kまで示し,臨界電流は磁場により著しく抑えられた。BGBなしのマイクロブリッジはRSJ様の振る舞いを示さず,その臨界電流密度はBGB bridgeのものの20倍にもなり,このことはBGB bridgeが弱結合のBGB由来のJosephson効果を示していることを確かなものにしている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Josephson接合 ,  双晶 ,  微斜面 ,  基板 ,  *ヒ化物 ,  *鉄化合物 ,  *バリウム化合物 ,  エピタクシー ,  ドーピング ,  *超伝導薄膜 ,  コバルト ,  酸化物 ,  ランタン化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  タンタル化合物 ,  電流電圧特性 ,  *臨界電流 ,  磁場効果

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (10件)： La ,  Sr ,  Al ,  Ta ,  O3 ,  双晶 ,  CO ,  ドープ ,  エピタキシャル膜 ,  Josephson接合