文献

J-GLOBAL ID：201002240245990549   整理番号：10A0493229

原子的平坦ScAlMgO₄エピタクシー緩衝層の作成と高移動度ZnO膜の低温成長

Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO₄ Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films

著者 (11件)： KATASE Takayoshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  NOMURA Kenji ,  OHTA Hiromichi ,  OHTA Hiromichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YANAGI Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio ,  HIRANO Masahiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO Masahiro ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 10  号： 3  ページ： 1084-1089  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に平坦なScAlMgO₄(SCAM)の単結晶薄膜をイットリア安定化ジルコニア(YSZ)(111)基板上に最適化組成のセラミックターゲットのアブレーションを用いる反応性固相エピタクシーにより作成した。SCAMの格子適合がよいためZnOエピタクシー膜の二次元成長を促進し,ステップ端での螺旋転位の形成を抑制して,特に700°C以下の低析出温度でYSZやAl₂O₃単結晶基板上のZnO薄膜より大きなHall移動度をもたらした。ZnO膜は140K以下の温度でHall電圧異常を示し,これを縮退層をもつ二層モデルにより説明した。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *スカンジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  単結晶 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  表面ステップ ,  螺旋転位 ,  *Hall移動度 ,  極低温 ,  異常Hall効果 ,  アブレーション ,  バッファ層

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  平坦 ,  エピタクシー ,  緩衝層 ,  高移動度 ,  ZnO ,  低温成長