研究者
J-GLOBAL ID:200901021631356007
更新日: 2024年09月05日
吉本 智巳
ヨシモト トモミ | Yoshimoto Tomomi
所属機関・部署:
東洋大学 理工学部 電気電子情報工学科
東洋大学 理工学部 電気電子情報工学科 について
「東洋大学 理工学部 電気電子情報工学科」ですべてを検索
機関情報を見る
職名:
教授
研究分野 (2件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (3件):
電界放射
, 電子デバイス
, electron device
競争的資金等の研究課題 (10件):
2010 - 2012 ダイヤモンドナノ粒子を用いた高性能電界放射電子源の研究
2009 - 2011 セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?
2003 - 2004 カーボンナノチューブ電界放射電子源アレーの製作と電界放射特性の評価
2002 - 2004 カーボンナノチューブ電界放射電子源の研究
1998 - 1999 1.55umの波長に高感度を有する導波路型SiGeおよびGe光検出器の研究
1994 - 1995 SiMISトンネル・エミッタ・トランジスタ(SiMISTET)の研究
1993 - 1994 SiMISトンネル・エミッタ・トランジスタ(SiMISTET)の研究
1991 - 1992 MBE法によって製作されたGeSi層をチャネルとするMOS FETの研究
Field Emission from Carbon Nanotube
Field Emission From Semiconductor
全件表示
論文 (36件):
T. Yoshimoto, T. Ebina, T. Iwata. Field Emission from Sharp Protrusions of Graphite Fabricated by Sandblasting Process. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. 078001-1-078001-3
吉本 智巳,仲野 羅武,岩田 達夫. カーボンペーパーからの低電界における電子放射. 電子情報通信学会論文雑誌C. 2022. Vol.J105-C. No.2. 78-90
吉本智巳, 岩田達夫. サンドブラストによるSi表面凹凸構造からの電界放射特性の吹き付け微粒子サイズによる変化. 電子情報通信学会論文誌C. 2020. J103-C. 12. 496-498
T. Yoshimoto, T. Iwata. Field-Emission from Finely Nicked Structures on n-Type Silicon Substrate Formed by Sandblasting Process. IEICE TRANS. ELECTRON. 2019. E102-C. No.2. 207-210
吉本 智巳, 岩田 達夫. ダイヤモンド微粒子からの電界放射電流の時間変化. 電子情報通信学会. 2017. J100C. No.1. 41-44
もっと見る
学歴 (4件):
- 1990 東海大学 工学研究科 電子工学専攻
- 1990 TOKAI UNIVERSITY Graduate School, Division of Engineering
- 1988 東海大学 工学部 電子工学科
- 1988 TOKAI UNIVERSITY Faculty of Engineering
学位 (2件):
工学修士 (東海大学)
博士(工学) (東海大学)
所属学会 (3件):
日本表面真空学会
, 電子情報通信学会
, 応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM