文献

J-GLOBAL ID：201902264528858361   整理番号：19A0610537

サンドブラスト法により形成したn型シリコン基板上の微細傷構造からの電界放出

Field-Emission from Finely Nicked Structures on n-Type Silicon Substrate Formed by Sandblasting Process

著者 (2件)： YOSHIMOTO Tomomi (Department of Electrical, Electronic and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Toyo University) ,  IWATA Tatsuo (Graduate School of Engineering, Mie University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E102.C  号： 2  ページ： 207-210(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細なAl₂O₃粒子を用いた簡単なサンドブラストによりシリコン表面上に電界エミッタとして作用する微細粗構造を作製した。試験により,その微細傷構造が効率的な電界エミッタとして機能することを確認した。放出電流はFowler-Nordheim関係に従い,低い電場閾値を持っていた。放出電流の変動は平均放出電流の平方根に逆比例し,10^-5Paの圧力領域で108μAの平均放出電流での放出電流の長期ドリフトは1時間当り約1%であり,このエミッタが安定な電流出力を提供することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ブラスト洗浄 ,  *ケイ素 ,  *表面処理 ,  電界放出 ,  ナノ粒子 ,  *電極 ,  電流
準シソーラス用語： *N型シリコン ,  アルミナ粒子 ,  *サンドブラスト ,  粗化 ,  *電界エミッタ ,  放出電流

著者キーワード (3件)： 電界放出 ,  Si ,  サンドブラスト法

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (16件)：

• [1] Y. Gotoh, M. Nagao, T. Masuzawa, Y. Neo, H. Mimura, T. Okamoto, M. Akiyoshi, and I. Takagi, “Research project on development of radiation tolerant compact image sensor with a field emitter array,” Technical Digest of the 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference, Gangzhou, P.R. China, pp.240-241, 2015. 10.1109/ivnc.2015.7225596
• [2] H. Mimura, “Radiation tolerant vacuum image sensors with a cold cathode array,” Oyobutsuri, vol.85, pp.15-20, 2016. [in Japanese]
• [3] Y. Gotoh, “Novel Applications of Field Emitter Arrays ∼Towards Electron Devices under Harsh Environments and Light Sources∼, J. Vac. Soc. Jpn., vol.60, no.2, pp.55-63, 2017. [in Japanese] 10.3131/jvsj2.60.55
• [4] M. Yanagihara, M.Z. Yusop, M. Tanemura, S. Ono, T. Nagami, K. Fukuda, T. Suyama, Y. Yokota, T. Yanagida, and A. Yoshikawa, Vacuum ultraviolet field emission lamp utilizing KMgF₃ thin film phosphor, Apl Materials, vol.2, no.4, 046110, 2014. 10.1063/1.4871915
• [5] S. Kanemaru, T. Hirano, H. Tanoue, and J. Itoh, “Control of emission currents from silicon field emitter arrays using a built-in MOSFET,” Appl. Sur. Sci., vol.111, pp.218-223, 1997. 10.1016/s0169-4332(96)00719-2

タイトルに関連する用語 (5件)： サンドブラスト法 ,  N型シリコン ,  微細 ,  傷 ,  電界放出