文献

J-GLOBAL ID：202102268652400969   整理番号：21A0057952

サンドブラストによるSi表面凹凸構造からの電界放射特性の吹き付け微粒子サイズによる変化

Change of Field Emission Characteristic of Sandblasted Si Surface by Size of Sandblasting Fine Particles

著者 (2件)： 吉本智巳 (東洋大 理工) ,  岩田達夫 (三重大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
巻： J103-C  号： 12  ページ： 496-498 (WEB ONLY)  発行年： 2020年12月01日 
JST資料番号： U0472A  ISSN： 1881-0217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC微粒子を吹き付けて凹凸構造を形成したSi表面からの電界放射特性を調べた.SiC微粒子のサイズにより電界放射特性は変化した.電界放射電流が流れ出すしきい値電圧は平均粒径30μmでの加工したサンプルが低い値を示した.(著者抄録)

シソーラス用語： ブラスト洗浄 ,  表面構造 ,  ウエハ【IC】 ,  微粒子 ,  炭化ケイ素 ,  *放射特性 ,  *電界放出 ,  電圧 ,  *電子源 ,  サンドブラスト ,  凹凸構造 ,  閾値電圧 ,  シリコンウエハ ,  浄化 ,  洗浄 ,  構造
準シソーラス用語： ケイ素基板

分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

引用文献 (9件)：

• 後藤康仁,“フィールドエミッタアレイの新しい応用技術 ~耐熱・耐放射線素子や光源応用に向けて~,” J. Vac. Soc. Jpn., vol.60, no.2, pp.25-33, 2017.
• 伊藤順司,金丸正剛,松川貴族,“真空マイクロエレクトロニクスの展望,” 信学論(C-1),vol.J82-C-I, no.5, pp.249-259, May 1999.
• G. Sotgiu and L. Schirone, “Microstructured silicon surfaces for field emission devices,” Applied Surface Science, vol.240, pp.424-431, 2004.
• 長尾昌善,“微細加工で作るフィールドエミッタアレイ ~新しい応用に向けて~,” J. Vac. Soc. Jpn., vol.60, no.2, pp.17-24, 2017.
• C.-K. Huang, H.L. Andrews, R.C. Baker, R.L. Fleming, D. Kim, T.J.T. Kwan, A. Piryatinski, V. Pavlenko, and E.I. Simakov, “Modeling of diamond field emitter arrays for a compact source of high brightness electron beams,” J. Appl. Phys., vol.125, 164501, 2019.

タイトルに関連する用語 (7件)： サンドブラスト ,  Si ,  表面凹凸 ,  電界 ,  放射特性 ,  吹き付け ,  微粒子サイズ