文献
J-GLOBAL ID:202102268652400969   整理番号:21A0057952

サンドブラストによるSi表面凹凸構造からの電界放射特性の吹き付け微粒子サイズによる変化

Change of Field Emission Characteristic of Sandblasted Si Surface by Size of Sandblasting Fine Particles
著者 (2件):
資料名:
巻: J103-C  号: 12  ページ: 496-498 (WEB ONLY)  発行年: 2020年12月01日 
JST資料番号: U0472A  ISSN: 1881-0217  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiC微粒子を吹き付けて凹凸構造を形成したSi表面からの電界放射特性を調べた.SiC微粒子のサイズにより電界放射特性は変化した.電界放射電流が流れ出すしきい値電圧は平均粒径30μmでの加工したサンプルが低い値を示した.(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電子源,イオン源 
引用文献 (9件):

前のページに戻る