研究者
J-GLOBAL ID:200901030990037781
更新日: 2023年12月06日
只友 一行
Tadatomo Kazuyuki
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所属機関・部署:
山口大学 創成科学研究科
山口大学 創成科学研究科 について
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職名:
教授
ホームページURL (1件):
http://device.eee.yamaguchi-u.ac.jp/
研究キーワード (1件):
電子・電気材料工学、化合物半導体、電子デバイス・機器工学
競争的資金等の研究課題 (4件):
2016 - 2021 高品質AlN結晶基板を用いた最短波長領域高出力深紫外LDの研究開発
2016 - 2021 様々な種結晶の検討による低コスト・オンデマンドGaN基板製造技術の構築
2013 - 2019 先進ナノツールによるエネルギー・イノベーション・クラスター
2013 - 2018 高品位GaN基板の開発
論文 (75件):
Hideaki Murotani, Kazunori Shibuya, Ayumu Yoneda, Yuki Hashiguchi, Hiroyuki Miyoshi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, et al. Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination. 2019. 58. SC. SCCB02-1-SCCB02-5
Tatsuya Ezaki, Yusuke Shigefuji, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo. High-quality GaN crystals grown from double-polarity hydride vapor phase epitaxy and single-polarization regrowth. 2019. 58. SC1019-1-SC1019-6
Fijun Kim, Hiroki Ikeuchi, Kohei Nojima, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo. Effect of off-angle of stripe patterns on facet stability and embedding in selectivearea hydride vapor phase epitaxy growth. 2019. 58. SC1001-1-SC1001-5
N. Okada, Y. Inomata, H. Ikeuchi, S. Fujimoto, H. Itakura, S. Nakashima, R. Kawamura, K. Tadatomo. Characterization of high-quality relaxed flat InGaN template fabricated by combination of epitaxial lateral overgrowth and chemical mechanical polishing. 2019. 512. 147-151
Kohei Sugimoto, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo. Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6. 062101-1-062101-5
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特許 (27件):
半導体基板の製造方法
下地基板
半導体基板の製造方法
半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置
半導体発光素子の製造方法
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書籍 (2件):
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Application
Springer 2013
ワイドギャップ半導体 光・電子デバイス
森北出版株式会社 2006 ISBN:4627773218
講演・口頭発表等 (288件):
Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP
(2018)
N極性AlNにおける表面平坦性のサファイア基板オフ角依存性
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
半極性InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
AlN構造体を形成した基板へのGaN結晶成長
(第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
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Works (1件):
非公開
学歴 (2件):
1978 - 1980 大阪大学 大学院 基礎工学研究科 化学系専攻
1974 - 1978 大阪大学 基礎工学部 化学工学科
学位 (3件):
博士(工学) (山口大学)
工学修士 (大阪大学)
工学士 (大阪大学)
経歴 (3件):
2013/03 - 山口大学 大学院創成科学研究科(工学) 教授
2004/06 - 2013/02 山口大学 大学院理工学研究科(工学) 教授
1980/09/01 - 2004/05/30 三菱電線工業株式会社 研究員
委員歴 (2件):
2018/04 - 現在 日本ファインセラミックス協会 GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化
2011/04 - 現在 日本学術振興会 162委員会 企画運営委員
所属学会 (3件):
照明学会
, 日本結晶成長学会
, 応用物理学会
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