研究者
J-GLOBAL ID:200901030990037781   更新日: 2023年12月06日

只友 一行

Tadatomo Kazuyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://device.eee.yamaguchi-u.ac.jp/
研究キーワード (1件): 電子・電気材料工学、化合物半導体、電子デバイス・機器工学
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2016 - 2021 高品質AlN結晶基板を用いた最短波長領域高出力深紫外LDの研究開発
  • 2016 - 2021 様々な種結晶の検討による低コスト・オンデマンドGaN基板製造技術の構築
  • 2013 - 2019 先進ナノツールによるエネルギー・イノベーション・クラスター
  • 2013 - 2018 高品位GaN基板の開発
論文 (75件):
特許 (27件):
  • 半導体基板の製造方法
  • 下地基板
  • 半導体基板の製造方法
  • 半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置
  • 半導体発光素子の製造方法
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書籍 (2件):
  • III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Application
    Springer 2013
  • ワイドギャップ半導体 光・電子デバイス
    森北出版株式会社 2006 ISBN:4627773218
講演・口頭発表等 (288件):
  • Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP
    (2018)
  • N極性AlNにおける表面平坦性のサファイア基板オフ角依存性
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
  • 半極性InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
  • 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
  • AlN構造体を形成した基板へのGaN結晶成長
    (第66回応用物理学会春季学術講演会 2018)
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Works (1件):
  • 非公開
学歴 (2件):
  • 1978 - 1980 大阪大学 大学院 基礎工学研究科 化学系専攻
  • 1974 - 1978 大阪大学 基礎工学部 化学工学科
学位 (3件):
  • 博士(工学) (山口大学)
  • 工学修士 (大阪大学)
  • 工学士 (大阪大学)
経歴 (3件):
  • 2013/03 - 山口大学 大学院創成科学研究科(工学) 教授
  • 2004/06 - 2013/02 山口大学 大学院理工学研究科(工学) 教授
  • 1980/09/01 - 2004/05/30 三菱電線工業株式会社 研究員
委員歴 (2件):
  • 2018/04 - 現在 日本ファインセラミックス協会 GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化
  • 2011/04 - 現在 日本学術振興会 162委員会 企画運営委員
所属学会 (3件):
照明学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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