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J-GLOBAL ID：201902261813024563   整理番号：19A1873370

二重極性水素化物気相エピタキシーと単一偏光再成長から成長した高品質GaN結晶

High-quality GaN crystals grown from double-polarity hydride vapor phase epitaxy and single-polarization regrowth

著者 (4件)： EZAKI Tatsuya (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  SHIGEFUJI Yusuke (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SC1019.1-SC1019.6  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  ファセット ,  *転位密度 ,  基板 ,  化学機械研磨 ,  極性
準シソーラス用語： GaN ,  サファイア基板 ,  水素化物気相エピタクシー

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (36件)：

• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
• S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
• I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
• M. Imanishin, Y. Todoroki, K. Murakami, D. Matsuo, H. Imabayashi, H. Takazawa, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, and Y. Mori, J. Cryst. Growth 427, 87 (2015).
• R. Dwilin’ski, R. Doradzin’ski, J. Garczyn’ski, L. P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, and H. Hayashi, J. Cryst. Growth 311, 3015 (2009).

タイトルに関連する用語 (8件)： 極性 ,  水素化物気相エピタキシー ,  偏光 ,  再成長 ,  成長 ,  高品質 ,  GaN ,  結晶