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J-GLOBAL ID：201802241095186611   整理番号：18A1334316

中間温度成長GaN層を用いた発光ダイオードの性能に及ぼすInGaN/GaN超格子の効果の分離

Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer

著者 (5件)： SUGIMOTO Kohei (UBE Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN) ,  OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  KURAI Satoshi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Yoichi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6  ページ： 062101.1-062101.5  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重量子井戸(MQWs)直下に超格子(SL)層または中間温度成長GaN(MT-GaN)層を有する,InGaN系発光ダイオード(LED)の電気的性質を評価した。SL層とMT-GaN層の両方がエレクトロルミネセンス(EL)強度の改善に有効であった。しかし,SL層は,MT-GaN層よりもEL強度に顕著な影響を及ぼした。MT-GaN層を有する素子との比較に基づいて,SLの全体的効果を,V-ピットの効果とSLの構造的または組成的効果に分離することができた。V-ピットはLED性能の改善の30%を占め,残りの70%はSLの構造的あるいは組成的効果に起因することが観察された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *温度 ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *超格子 ,  *多重量子井戸 ,  電気的性質 ,  *エレクトロルミネセンス ,  穴
準シソーラス用語： InGaN ,  ピット ,  *中間温度

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (26件)：

• S. H. Han, D. Y. Lee, H. W. Shim, J. W. Lee, D. J. Kim, S. Yoon, Y. S. Kim, and S. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 102, 251123 (2013).
• L. C. Le, D. G. Zhao, D. S. Jiang, L. Li, L. L. Wu, P. Chen, Z. S. Liu, Z. C. Li, Y. M. Fan, J. J. Zhu, H. Wang, S. M. Zhang, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 101, 252110 (2012).
• J. Smalc-Koziorowska, E. Grzanka, R. Czernecki, D. Schiavon, and M. Leszczyński, Appl. Phys. Lett. 106, 101905 (2015).
• X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
• Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).

タイトルに関連する用語 (6件)： 中間温度 ,  成長 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  InGaN ,  超格子