研究者
J-GLOBAL ID:200901061621469166   更新日: 2024年04月30日

田口 博久

タグチ ヒロヒサ | Taguchi Hirohisa
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (2件): 二次元機能性材料 ,  金属微粒子結晶
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • 2018 - 2021 液体金属を用いた低温実装できる熱疲労破壊しないはんだ接合部の創成
  • 2009 - 2011 超高速光・電子融合デバイス
  • 2004 - 2007 1.55μmフェムト秒パルスレーザを用いたInAlAs/InGaAs高電子移動度トランジスタの少数キャリア寿命時間の解析
  • 2004 - 2007 Analysis of Minority Carrier Lifetime for InAlAs/InGaAs High Electron Mobility Transistors by using 1550 nm femto-second Pulse Laser
論文 (29件):
  • Haruki Hayashi, Yuki Shimizu, Atsuya Fujiwara, Kondo Kento, Hirohisa Taguchi. Behavior of Crystal Defects at Low Temperature in AlGaN/GaN HEMTs. TENCON 2023 - 2023 IEEE Region 10 Conference (TENCON). 2023
  • Kento Kondo, Yuki Shimizu, Atsuya Fujiwara, Haruki Hayashi, Hirohisa Taguchi. High-Frequency Characteristics of Photogenerated Carriers in AlGaN/GaN HEMTs. TENCON 2023 - 2023 IEEE Region 10 Conference (TENCON). 2023
  • Yuki Shimizu, Atsuya Fujiwara, Haruki Hayashi, Soichi Sano, Kazuaki Hirana, Hirohisa Taguchi. Methodology for Evaluating 2DEG Carrier Behavior in High-Frequency Bands in AlGaN/GaN HEMTs. TENCON 2023 - 2023 IEEE Region 10 Conference (TENCON). 2023
  • Honoka Tanabe, Yohei Shegemori, Kazuma Niwa, Kento Iwai, Soshi Yamashita, Shun Kamei, Kimihiro Yamanaka, Hirohisa Taguchi. Cu Dendrite Crystal Ball Formation on a Zn-Al Substrate by Electroplating Method. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2022. 20. 4. 232-236
  • Itsuki Takagi, Takuma Kato, Hirohisa Taguchi. Analysis of Two-Dimensional Electron Gas Formation in InGaAs-Based HEMTs. Advances in Science, Technology and Engineering Systems Journal. 2020. 5. 2. 597-605
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MISC (36件):
  • K. Niwa, H. Taguchi. Heterogeneous catalysis resulting from surface changes on oxygen-free Cu plates. The 2023 Fall Meeting of the European Materials Research Society abstracts. 2023
  • H. Kinoshita, H. Taguchi. Proposal of functional capsules containing Cu microparticles. The 2023 Fall Meeting of the European Materials Research Society abstracts. 2023
  • T. Noro, E. Mori, H.Taguchi. Physical method for fabricating Au microparticles. The 2023 Fall Meeting of the European Materials Research Society abstract. 2023
  • Shuto Arinaga, Takuma Kato, Hirohisa Taguchi. Evaluation of AlGaN / GaN-based HEMT structure crystal defects by UV light receiving performance. The 2022 Fall Meeting of the European Materials Research Society abstracts. 2022
  • Takuma Kato, Atuya Hujiwara, Yuki Shimizu, Kento Kondo, Hirohisa Taguchi. Frequency dependence of current collapse phenomenon in AlGaN / GaN-based HEMT structures. The 2022 Fall Meeting of the European Materials Research Society abstracts. 2022
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特許 (3件):
講演・口頭発表等 (36件):
  • 超高速光応答デバイスの探索(ポスターセッション)
    (東京理科大学 研究シーズ発表会 2010)
  • InAlAs/InAs/OnGaAs-PHEMTの直流及び高周波特性
    (第71回応用物理学会学術講演会 2010)
  • InAlAs/InAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistorsのゲートソース間電圧による光応答時間の依存性
    (第71回応用物理学会学術講演会 2010)
  • 超高速光応答デバイスの探索(オーラルセッション)
    (東京理科大学 研究シーズ発表会 2010)
  • Thermoelectric characteristics of commercialized Mg2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu
    (The 28th International Conference on Thermoelectrics and the 7th European Conference on Thermoelectrics 2009)
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学歴 (4件):
  • - 2007 東京理科大学 基礎工学研究科 材料工学専攻
  • - 2007 東京理科大学
  • - 1999 東京理科大学 基礎工学部 材料工学科
  • - 1999 東京理科大学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京理科大学)
経歴 (2件):
  • 2001 - 2004 新日本無線株式会社 研究所 研究員
  • 2001 - 2004 Resercher, New Papan Radio Co., Ltd.
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