特許
J-GLOBAL ID：200903059981231856
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-401121
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363547
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 放熱構造から直接熱を放射することができる放熱構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上の半導体素子で発生する熱を半導体基板の表面から放出するため、半導体基板の表面に不規則な形状の凹凸部や球状の凸部、あるいは金黒のような放射性の優れた金属膜を形成する。このような放熱構造は、放熱構造自身から熱を放射するため、放熱効率を向上させることができる。凹凸部等は、半導体基板をエッチングすることで形成できる。また蒸着法等により、金属膜を形成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体素子が形成され、該半導体素子で発生する熱を半導体基板の一主面から放出する放熱構造を備えた半導体装置において、
前記放熱構造は、前記半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された該半導体基板の結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部、半導体基板の一主面の少なくとも一部に形成された前記熱を放射する金属層、あるいは前記凹部あるいは凸部上に形成された前記熱を放射する金属層のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB05
, 5F036BD01
