研究者
J-GLOBAL ID:201001055012629271
更新日: 2024年11月20日
福地 厚
フクチ アツシ | Fukuchi Atsushi
所属機関・部署:
職名:
助教
研究分野 (3件):
薄膜、表面界面物性
, 電子デバイス、電子機器
, 磁性、超伝導、強相関系
競争的資金等の研究課題 (20件):
- 2023 - 2026 化学結合力を利用した非平衡量子相転移の転移速度の巨大変調とその人工知能素子応用
- 2023 - 2025 非平衡強相関電子系を利用した時間的可変性を持つ脳型ハードウェ アの創出
- 2022 - 2024 創発脳型デバイスへの応用に向けた電流誘起非平衡量子相転移の動的特性評価
- 2024 - 2024 非線形人工知能素子応用に向けた新規アモルファス金属酸化物の設計と開発
- 2023 - 2024 化学気相蒸着法による強相関電子系2次元物質の基盤的合成技術の確立と創発機能デバイスの創出
- 2023 - 2024 非平衡強相関電子系を利用した時間的可変性を持つ人工知能素子の創出
- 2021 - 2024 2 元系アモルファス酸化物における非線形伝導現象発生時のイオン移動解析
- 2022 - 2023 医用分光イメージングに向けたテラヘルツ用単電子トランジスタ検出器の研究
- 2020 - 2022 生体材料の分光計測を目指したテラヘルツ用単電子トラ ンジスタ検出器の研究
- 2019 - 2022 抵抗変化酸化物の原子スケール表面観察を通した高精度人工シナプス材料の提案
- 2018 - 2021 ルテニウム酸化物における電場誘起電子相転移を利用した抵抗変化素子の開発
- 2018 - 2020 ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究
- 2016 - 2020 生体物質の分光評価を目指した単電子デバイスの高周波特性に関する研究
- 2018 - 2019 電場誘起型の金属絶縁体転移を用いた強相関ニューロモルフィック素子の開発
- 2018 - 2019 Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
- 2016 - 2019 人工ニューロン開発を目指したその場TEM法による抵抗変化メモリ回路動作の研究
- 2016 - 2019 電場誘起型モット転移を用いた純電子的抵抗変化メモリの創製
- 2016 - 2017 生体物質の分光評価を目指した単電子デバイスの高周波特性に関する研究
- 2015 - 2016 抵抗変化メモリ応用に向けたナノ構造下における電場誘起型モット転移物質の物性探索
- 2015 - 2016 純電子的抵抗変化メモリの実現に向けた電場誘起モット転移物質のナノ構造化に関する研究
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論文 (44件):
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Atsushi Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya. Room-Temperature Possible Current-Induced Transition in Ca2RuO4 Thin Films Grown Through Intercalation-Like Cation Diffusion in the A2BO4 Ruddlesden-Popper Structure. 2024
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Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya. Thickness-dependent intergrowth of Ruddlesden-Popper impurity structures in solid-phase epitaxial growth of Ca2RuO4 thin films. Journal of the Ceramic Society of Japan. 2024
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Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Ryota Tanizawa, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Characteristics of the single-electron conduction properties of randomly distributed metal nanodot arrays. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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Keiji Tsubaki, Masashi Arita, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi. Significant effects of epitaxial strain on the nonlinear transport properties in Ca2RuO4 thin films with the current-driven transition. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
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Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca2RuO4 Thin Films: Nonequilibrium High-Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition. Advanced Electronic Materials. 2023. 9. 6. 2201303
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MISC (49件):
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Takayuki Gyakushi, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi. Coulomb Blockade Oscillations Oberved in Micrometer-sized Single-Electron Device of Metal Nanodot Array. Proceedings of the 2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). 2022
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T. Gyakushi, Y. Asai, B. Byun, I. Amano, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, Y. Takahashi. Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots. Extended Abstract of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021). 2021
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K. Tsubaki, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi, T. Katase, T. Kamiya, M. Arita. Fast and Reliable Resistance Switching in Ca2RuO4 Thin Films Driven by the Current-Induced Phase Transition. Extended Abstract of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021). 2021
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瘧師 貴幸, 浅井 佑基, 卞 範模, 天野 郁馬, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫. 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性. 信学技報. 2021. 121. 44. 23-26
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高橋庸夫, 寒川誠二, 有田正志, 大野武雄, 福地厚, 遠藤和彦, 李遠霖, 瘧師貴幸. ナノ構造を用いた多機能ナノデバイス作成とその応用に関する研究. 東北大学流体科学研究所共同利用・共同研究拠点流体科学国際研究教育拠点活動報告書. 2021. 2019 (CD-ROM)
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特許 (2件):
書籍 (1件):
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Memristor and Memristive Neural Networks
In Tech, Rijeka 2018
講演・口頭発表等 (251件):
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侵入型陽イオン拡散現象を利用した室温転移Ca2RuO4薄膜の作製
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
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原子平坦アモルファス TaOx薄膜を用いた電子シナプス素子動作原理の直接観察
(日本表面真空学会東北・北海道支部令和5年度学術講演会 2024)
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Nonthermal Mott Resistive Switching in Ca2RuO4 Thin Films with Independence from the Temperature-Driven Transition Characteristics
(Advanced Materials Research GRAND MEETING MRM2023/IUMRS-ICA2023 2023)
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Ruddlesden-Popper構造Ca2RuO4薄膜における陽イオンインターカレーション型反応の観測と室温電流誘起相転移の実現
(第43回電子材料研究討論会 2023)
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Ca2RuO4薄膜が示す電流誘起転移型の非線形伝導現象に対する基板エピタキシャル応力の影響
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
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学歴 (3件):
- 2007 - 2010 東京大学 新領域創成科学研究科 博士課程
- 2005 - 2007 東京大学 新領域創成科学研究科 修士課程
- 2001 - 2005 東京工業大学 工学部
学位 (1件):
経歴 (2件):
- 2014/10 - 現在 北海道大学 情報科学研究科 助教
- 2010/04 - 2014/09 産業技術総合研究所 電子光技術研究部門 博士研究員
受賞 (5件):
- 2023/12 - Organizing Committee of MRM2023 The MRM Poster Award 2023 (Gold Award)
- 2023/11 - 日本セラミックス協会電子材料部会 電子材料研究討論会研究奨励賞
- 2021/07 - 東京工業大学 フロンティア材料研究所学術賞(研究奨励部門)
- 2013/03 - 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
- 2009/12 - Physical Review B, Editors' Suggestion
所属学会 (4件):
Materials Research Society
, 応用物理学会
, 日本物理学会
, 日本表面真空学会
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