特許
J-GLOBAL ID：201303054193779035
抵抗変化型不揮発性メモリ素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-141308
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008884
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】遷移金属酸化物を用いた不揮発性メモリにおいて、メモリ抵抗の可逆的な変化を化学的変質によらない、メモリ抵抗変化の繰り返しに材料の劣化が起きにくい、メモリ抵抗変化の繰り返し特性に優れ、メモリ抵抗状態の安定した保持特性を有する抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】抵抗変化型不揮発性メモリ素子として、第一電極2の金属Ptに、欠損があり導電性を有する強誘電酸化物Bi1-xFeO33を整流性接合し、さらに第二電極4にオーミック接合して、第一電極と第二電極の間に電圧を印加して、Bi1-xFeO3層に電気分極反転を起こして安定したメモリ抵抗変化を実現した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第一電極と第二電極とが配置されている抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、
前記第一電極は金属からなり、
前記第一電極と前記第二電極との間に導電性の強誘電酸化物が形成されていて、
前記第一電極と前記導電性の強誘電酸化物とは整流性接合されていて、
前記第二電極と前記導電性の強誘電酸化物とはオーミック接合されていて、
前記第一電極と第二電極との間に正電圧を正方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第一の閾値を越えた前記正電圧の一定範囲で減少し、該メモリ素子は安定的に低抵抗状態となり、その後前記正電圧を除去しても前記低抵抗状態は保持されていて、
前記第一電極と第二電極との間に負電圧を負方向に漸次印加し続けると該メモリ素子の抵抗値は第二の閾値を越えた前記負電圧の一定範囲で増加し、該メモリ素子は安定的に高抵抗状態となり、その後前記負電圧を除去しても高抵抗状態は保持されている、
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, G11C 13/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 110R
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA05
, 5F083GA21
, 5F083GA27
, 5F083JA38
, 5F083JA44
, 5F083JA60
, 5F083PR04
, 5F083PR22
