特許
J-GLOBAL ID：201603003589549481

不揮発性メモリ素子とその製造方法

発明者：
山田 浩之

山田 浩之 について

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澤 彰仁

澤 彰仁 について

, 
福地 厚

福地 厚 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-149390
公開番号（公開出願番号）：特開2016-025258
出願日： 2014年07月23日
公開日（公表日）： 2016年02月08日
要約：
【課題】強誘電酸化物のバリア層を用いたトンネル抵抗変化型の不揮発性メモリ素子作製技術では、抵抗変化に必須となる、強誘電酸化物の表面状態、および金属電極との界面状態の品質を制御することが困難であり、安定したメモリ素子動作特性を有するトンネル抵抗変化型の不揮発性メモリ素子の作製に課題があった。【解決手段】スイッチングに必要な、かつ、室温大気下で安定した強誘電酸化物の表面状態を形成するために、強誘電酸化物のバリア層と金属電極との間に、常誘電酸化物であるアルカリ土類酸化物の単原子膜を一様に挿入した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、金属の下部電極と、強誘電酸化物のバリア層と、常誘電酸化物の単原子層膜と金属の上部電極とからなる積層体であって、バリア層と単原子層膜によりトンネル障壁が構成され、その電流-電圧特性が「8の字型」のヒステリシスを示すことを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (11件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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