研究者

J-GLOBAL ID：201301098044616549 更新日: 2022年08月23日

笹岡健二

ササオカケンジ | Sasaoka Kenji

所属機関・部署：
職名：助教
論文 (6件)：

Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma. Strain-induced modulation of an isotropic photoconductivity in graphene. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2014. 53. 11. 115103 1-7
Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma. Proposal of simplified model for absorption coefficients in quantum dot array based intermediate band solar cell structure. IEICE ELECTRONICS EXPRESS. 2014. 11. 17. 1-11
MEHDIPOUR Amir, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi. Intermediate band electron wave function localization effect on the efficiency limits of InAs/GaAs quantum dot solar cell. Memoirs of the Graduate Schools of Engineering and System Informatics Kobe University. 2014. 6. 18-24
Kenji Sasaoka, Takahiro Yamamoto, Satoshi Watanabe. Wavelet analysis of quantum transient transport in a quantum dot. Applied Physics Letters. 2013. 102. 23. 233107 1-4
Wei Liu, Kenji Sasaoka, Takahiro Yamamoto, Tomofumi Tada, Satoshi Watanabe. Inelastic transient electrical currents and phonon heating in a single-level quantum dot system. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013. 113. 12. 123701 1-9

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MISC (1件)：

相馬聡文, 田中未来, 市原圭祐, 迫田翔太郎, 笹岡健二, 小川真人. 歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション. 信学技報 IEICE Technical Report. 2015. SMD2015-89. 29-34

講演・口頭発表等 (26件)：

歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンFETの制御における電子-フォノン散乱の影響
(第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
歪み印加されたグラフェンナノリボンの過渡電気伝導現象の数値解析
(第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
歪みグラフェンp-n接合ダイオードの整流特性に関する量子輸送シミュレーション
(第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
グラフェンの歪み/無歪み遷移領域におけるガウス波束の伝播に関する量子ダイナミクスシミュレーション
(第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション
(シリコン材料・デバイス研究会(SDM) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 2015)

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学歴 (1件)：

- 2007 東京理科大学大学院理学研究科博士後期課程物理学専攻修了

学位 (2件)：

修士(理学) (東京理科大学)
博士(理学) (東京理科大学)

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