重川直輝

シゲカワナオテル | Shigekawa Naoteru

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://shigekawa-ocu.jp

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (5件)：電子輸送特性 , ワイドギャップ半導体 , 半導体ヘテロ構造 , 多接合太陽電池 , 表面活性化接合

競争的資金等の研究課題 (15件)：

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論文 (206件)：

Ryo Kagawa, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang. Fabrication of low thermal resistance 3C-SiC/diamond structure for GaN epitaxial layer growth. Functional Diamond. 2024
Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, et al. High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes. Small. 2023
Shota Ishimi, Makoto Hirose, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa. Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions. ECS Transactions. 2023. 112. 3. 111-118
Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa. Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SN. SN1013-SN1013
A. Kobayashi, H. Tomiyama, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang. Room temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer. Functional Diamond. 2022. 2. 1. 142-150

MISC (77件)：

上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
上東洋太, 大曲新矢, 梅沢仁, 山田英明, LIANG Jianbo, 重川直輝. 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Siヘテロ接合ダイオードの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
Naoteru Shigekawa, Hideki Takagi, Masahisa Fujino, Eiji Higurashi, Nobuhiko Nishiyama, Takehito Shimatsu, Noriaki Toyoda. Low Temperature Bonding for 3D Integration FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59
Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa. Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature. Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration. 2019. 2-2

特許 (104件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (158件)：

GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価
(2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価
(2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果
(2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価
(2020年第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films
(29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2019)

学位 (1件)：

経歴 (2件)：

委員歴 (6件)：

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受賞 (1件)：

所属学会 (6件)：

IEEE , 電気学会 , 電子情報通信学会 , 英国物理学会 , 日本物理学会 , 応用物理学会

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重川 直輝