特許

J-GLOBAL ID：201403099547799722

多接合太陽電池

発明者： 満原 学 ,  渡邉 則之 ,  重川 直輝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  公立大学法人大阪市立大学
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098151
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220351
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：

【課題】シリコンからなる太陽電池セルと、Asを除くIII-V族化合物半導体からなる太陽電池セルとによる多接合太陽電池において、より高い光電変換効率が得られるようにする。【解決手段】ボトムセルとなる第1太陽電池セル131と、トップセルとなる第2太陽電池セル132とを少なくとも備え、第2太陽電池セル132は、p型InGaPSbからなるベース層107と、n型InGaPSbからなるエミッタ層108とを光吸収層として備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型のシリコンからなるp型シリコン層およびn型のシリコンからなるn型シリコン層を備える第1太陽電池セルと、 InGaPSbからなる光吸収層を含み、As以外のIII-V族化合物半導体からなる化合物半導体層およびInGaPからなる接合層から構成された第2太陽電池セルと を備え、 前記n型シリコン層と前記接合層とが貼り合わされて前記第1太陽電池セルおよび前記第2太陽電池セルが一体とされていることを特徴とする多接合太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (2件)：

H01L31/04 Y ,  H01L31/04 E

Fターム (6件)：

5F151AA01 ,  5F151AA08 ,  5F151DA03 ,  5F151DA19 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• タンデム型太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-238885   出願人：トヨタ自動車株式会社
• タンデム太陽電池セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-052918   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Optical properties of Ga1-xInxP1-ySby alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy