特許
J-GLOBAL ID：201403089765107950
多接合太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098150
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220350
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】より容易に製造できる状態で、シリコンからなる太陽電池セルと窒化物半導体からなる太陽電池セルとからなる多接合太陽電池において、各太陽電池セルの間の良好な電気伝導性が得られて効率よく発電ができるようにする。【解決手段】シリコンからなる第1太陽電池セル131のp型シリコン層102にn型シリコン層109を接して形成してトンネル接合を構成し、n型シリコン層109に窒化物半導体からなる第2太陽電池セル132のn型GaN層110を貼り合わせる。【選択図】 図1A
請求項（抜粋）：
n型のシリコン基板,前記シリコン基板の上に形成されたp型のシリコンからなるp型シリコン層,および前記p型シリコン層の上に接して形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン層を備える第1太陽電池セルと、
太陽光を吸収するp型の窒化物半導体からなるp型窒化物半導体層,太陽光を吸収するn型の窒化物半導体からなるn型窒化物半導体層,およびn型のGaNからなるn型GaN層を備える第2太陽電池セルと
を備え、
前記n型シリコン層と前記n型GaN層が貼り合わされて前記第1太陽電池セルおよび前記第2太陽電池セルが一体とされ、
前記p型シリコン層の上に、前記n型シリコン層,前記n型窒化物半導体層,および前記p型窒化物半導体層が、これらの順に積層され、
前記p型シリコン層と前記n型シリコン層とによりトンネル接合が形成されていることを特徴とする多接合太陽電池。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 Y
, H01L31/04 E
5F151AA01
, 5F151AA08
, 5F151BA14
, 5F151CB12
, 5F151CB19
, 5F151DA03
, 5F151DA19
