喜多浩之

キタコウジ | Kita Koji

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： https://kaken.nii.ac.jp/d/r/00343145.ja.html

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 構造材料、機能材料 , 金属材料物性 , 無機材料、物性

研究キーワード (30件)：表面・界面物性 , ゲルマニウム , 酸化ハフニウム , 先端機能デバイス , 分光エリプソメトリー , 高誘電率絶縁膜 , シリコン , シリケート , 酸化イットリウム , 電子・電気材料 , 二酸化ゲルマニウム , 半導体物性 , 酸化機構 , 界面反応 , 抵抗変化メモリー , 低電圧化 , 表面酸化 , セラミックス , 同位体ガス , 表面酸化渦程 , 酸素欠損 , 律速過程 , 強磁性体 , 垂直磁気異方性 , 表面酸化過程 , 結晶性 , 絶縁膜 , エレクトロクロノミック , 電流-電圧特性 , イオン伝導

競争的資金等の研究課題 (14件)：

2021 - 2024 絶縁膜界面バンドアライメント変調のための界面電荷エンジニアリングとその効果の実証
2018 - 2021 SiCの熱酸化が誘起する界面近傍構造変化の解析とMOSFET特性向上指針の明確化
2016 - 2018 光照射キャパシタンス測定による熱酸化処理後のSiC基板中欠陥の半定量的評価
2015 - 2018 異種酸化物界面の分極を予測するマテリアル・インフォマティクスの開拓
2015 - 2018 高品質界面を有するSiC MOS反転層チャネル移動度の制約因子の解明

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論文 (154件)：

Atsushi Tamura, Seungwoo Jang, Young Geun Park, Hanjin Lim, Koji Kita. Opportunity for band alignment manipulation of perovskite oxide stacks by interfacial dipole layer formation. Solid-State Electronics. 2021. 185
Siri Nittayakasetwat, Koji Kita. Evidence of ferroelectric HfO2 phase transformation induced by electric field cycling observed at a macroscopic scale. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2021. 184
Tae-Hyeon Kil, Munetaka Noguchi, Hiroshi Watanabe, Koji Kita. Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2021. 183
Tae Hyeon Kil, Atsushi Tamura, Sumera Shimizu, Koji Kita. Impacts of band alignment change after interface nitridation on the leakage current of SiO2/4H-SiC (0001) and (1100) MOS capacitors. Applied Physics Express. 2021. 14. 8
Siri Nittayakasetwat, Koji Kita. Anomalous structural distortion - a possible origin for the waking-up of the spontaneous polarization in ferroelectric HfO2. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2021. 60. 7

MISC (55件)：

Hirohisa Hirai, Koji Kita. Effects of high-temperature diluted-H-2 annealing on effective mobility of 4H-SiC MOSFETs with thermally-grown SiO2 (Retraction of Vol 55, 10.7567/JJAP.55.04ER16, 2016). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 7
Seiichiro Higashi, Koji Kita, Seiji Akita. FOREWORD Solid State Devices and Materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2015. 54. 4
平井悠久, 喜多浩之. 4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 88. 97-100
喜多浩之, 平井悠久. FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術). 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2013. 113. 87. 97-100
李忠賢, 西村知紀, 田畑俊行, 王盛凱, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明. Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2011. 110. 406. 9-12

経歴 (1件)：

2010 - 現在東京大学大学院工学系研究科准教授

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