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J-GLOBAL ID：201402226734381446   整理番号：14A0891259

4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違

Oxidation-ambience-dependent near-interface structure of thermally grown oxide on 4H-SiC

著者 (3件)： 平井悠久 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (JST-PRESTO)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 88(SDM2014 43-61)  ページ： 97-100  発行年： 2014年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 赤外分光法(IR)を用いると4H-SiC Si面とC面に成長するdry酸化膜の界面構造の違いを高感度に検出可能である。さらに酸化雰囲気を変えて評価を行ったところ,4H-SiC熱酸化界面構造は酸化雰囲気に強く影響されていることが分かった。まずdry酸化については,温度・酸素分圧による影響は小さいことが明らかになった。その一方,特にC面のdry酸化で顕著に見られる界面近傍における構造歪が,H₂Oを酸化種とするwet酸化では抑制された。また,2120cm^-1の吸収に特徴付けられる界面近傍に局在する帰属不明な構造がdry酸化のみで観察され,wet酸化ではその形成が抑制された。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *六方晶系 ,  熱酸化 ,  *表面構造 ,  *雰囲気 ,  *酸化 ,  *赤外分光法 ,  MOSFET ,  二酸化ケイ素 ,  格子欠陥 ,  格子歪 ,  湿式酸化 ,  エッチング ,  膜厚 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  界面構造 ,  酸化雰囲気

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (15件)：

• J. A. Cooper, Jr. and A. K. Agarwal, Proc. IEEE 90, 956 (2002).
• V. V. Afanasev, M. Bassler, G. Pensl, and M. Schulz, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 321 (1997).
• D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 96, 203508 (2010).
• K. Fukuda, M. Kato, K. Kojima, amd J. Senzaki, Appl. Phys. Lett. 84, 2088 (2004).
• R. Kosugi, T. Umeda, and Y. Sakuma, Appl. Phys. Lett. 99, 182111 (2011).

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  熱酸化 ,  界面構造 ,  酸化雰囲気 ,  相違