研究者
J-GLOBAL ID：201501096608852967   更新日: 2024年09月19日

品田 高宏

シナダ タカヒロ | Shinada Takahiro
所属機関・部署：
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://www.cies.tohoku.ac.jp/ ,  http://www.cies.tohoku.ac.jp/english/
研究分野 (4件)： ナノマイクロシステム ,  ナノバイオサイエンス ,  電気電子材料工学 ,  ナノ材料科学
研究キーワード (3件)： 単一ドーパントデバイス ,  決定論的ドーピング ,  単一原子ナノエレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (16件)：
  • 2018 - 2023 決定論的ドーピング法に基づく量子物性制御とその確率的情報処理・量子計測への応用
  • 2016 - 2019 決定論的ドーピング法に基づく単電子等価回路設計プロセスと確率的情報処理への応用
  • 2013 - 2017 決定論的ドーピング法による量子物性制御
  • 2012 - 2014 イオンビームによる細胞へのドーピングと細胞機能修飾
  • 2007 - 2008 単一不純物原子が制御されたナノデバイス製造技術の開発
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論文 (29件)：
  • Yuki Ueda, Yuto Miyake, Akirabha Chanuntranont, Kazuki Otani, Masato Tsugawa, Daiki Saito, Shuntaro Usui, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takahiro Shinada, et al. Detecting nuclear spins in an organosilane monolayer using nitrogen-vacancy centers for analysis of precursor self-assembly on diamond surface. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SG
  • Takafumi Fujimoto, Keinan Gi, Stefano Bigoni, Michele Celebrano, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada, Enrico Prati, Takashi Tanii. Electroluminescence of Er:O-doped nano pn diode in silicon-on-insulator and its current-voltage characteristics at room temperature. 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020. 2020. 123-124
  • Enrico Prati, Takahiro Shinada, Takashi Tanii. Single Ion implanted silicon devices towards few photons emission regime for space quantum communications. Optics InfoBase Conference Papers. 2020
  • Enrico Prati, Michele Celebrano, Lavinia Ghirardini, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada, Keinan Gi, Yuki Chiba, Ayman Abdelghafar, Maasa Yano, et al. Resonant photocurrent at 1550 nm in an erbium low-doped silicon transistor at room temperature. 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019. 2019
  • Michele Celebrano, Lavinia Ghirardini, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Yuki Chiba, Ayman Abdelghafar, Maasa Yano, Takahiro Shinada, Takashi Tanii, Enrico Prati. Room Temperature Resonant Photocurrent in an Erbium Low-Doped Silicon Transistor at Telecom Wavelength. Nanomaterials. 2019. 9. 3. 416-416
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MISC (45件)：
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書籍 (2件)：
  • Single Atom Nanoelectronics
    Pan Stanford Publishing 2012 ISBN:9789814316316
  • テクノカレント:半導体テクノロジーのトレンド-微細化から等価的微細化と多様化へ
    世界経済情報サービス 2008
講演・口頭発表等 (26件)：
  • Single ion implantation of Ge donor impurity in silicon transistors
    (2015 Silicon Nanoelectronics Workshop 2015)
  • Atomic Scale Devices: Advancements and Directions
    (2014 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2014)
  • Methodology of single atom control for quantum processing in silicon and diamond
    (16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium 2014)
  • Opportunity of Single Atom Control for Quantum Processing in Silicon
    (2014 Silicon Nanoelectronics Workshop 2014)
  • Comparison of Self-Heating Effect (SHE) in Short-Channel Bulk and Ultra-Thin BOX SOI MOSFETs: Impacts of Doped Well, Ambient Temperature, and SOI/BOX Thicknesses on SHE
    (2013 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013)
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Works (6件)：
  • シングルイオン注入を用いたトランジスタ特性制御の研究
    2010 -
  • Control of transistor performances by single-ion implantation
    2010 -
  • シングルドーパントデバイスの研究 (NTT)
    2009 -
  • Single-dopant devices (NTT)
    2009 -
  • ドーパント規則配列を有する半導体のデバイス特性評価 (Semiconductor Research Corporation)
    2008 -
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学歴 (4件)：
  • - 2000 早稲田大学
  • - 2000 早稲田大学 理工学研究科 電子・情報通信学専攻
  • - 1995 早稲田大学
  • - 1995 早稲田大学 理工学部 電子通信学科
学位 (2件)：
  • 経営学 (早稲田大学)
  • 工学 (早稲田大学)
経歴 (10件)：
  • 2014/10 - 現在 東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター 副センター長・教授
  • 2012/04 - 2014/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 主幹
  • 2009/04 - 2012/03 早稲田大学 高等研究所 准教授
  • 2007/04 - 2009/03 早稲田大学 生命医療工学研究所 准教授
  • 2006/04 - 2007/03 早稲田大学 生命医療工学研究所 助教授
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委員歴 (15件)：
  • 2009 - 2010 Fellow, Center for Research and Development Strategy (CRDS), Japan Science and Technology (JST)
  • 2010 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会接合技術研究会 幹事
  • 2010 - Program Committee Member, 2010 International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2010)
  • 2010 - Member, Working Group 12 (Emerging Research Devices: ERD)
  • 2010 - イオンビーム材料改質国際会議(IBMM2010)・プログラム委員
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受賞 (3件)：
  • 2002/09/24 - 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞
  • 2000/09/22 - 13th International Conference on Ion Implantation Technology Best Poster Award
  • 1998/06/26 - International Conference on Ion Implantation Technology Student Award
所属学会 (3件)：
The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Electron Devices Society ,  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ,  応用物理学会
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