文献

J-GLOBAL ID：201102255473016158   整理番号：11A0944063

決定論的単一イオンドーピングのための基板バイアス電圧適用による単一イオン検出効率の増強

Enhancing Single-Ion Detection Efficiency by Applying Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-Ion Doping

著者 (8件)： HORI Masahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINADA Takahiro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TAIRA Keigo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOMATSUBARA Akira (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ONO Yukinori (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANII Takashi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHDOMARI Iwao (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 4  ページ： 046501.1-046501.3  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 必要な数が達成されるまで半導体中に1個ずつドーパントを注入することを可能にする単一イオン注入技術が開発される。イオン数を制御する鍵はイオン入射でターゲットから放出された二次電子(SE)を検出することである。現在達成されたSE検出効率はSE放出の低い確率により90%である。しかし,基板バイアス電圧を制御することによってSEの数を増加させることによってほぼ100%まで増加させられる。この改善は,イオン数の究極的な制御のために必要であり,単一ドーパントデバイスを実現するための見通しを加速させる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドーピング ,  イオン注入 ,  電圧 ,  検出効率 ,  *二次電子放出 ,  *イオン
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  イオン数 ,  *単一イオンドーピング

分類 (2件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2009 Edition. http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm
• MIZUNO, T. IEEE Trans. Electron Devices. 1994, 41, 2216
• ASENOV, A. IEEE Trans. Electron Devices. 1998, 45, 2505
• TAKEUCHI, K. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 467
• HORI, M. Nanotechnology. 2009, 20, 365205

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  ドーピング ,  バイアス電圧 ,  検出効率 ,  増強