藤川紗千恵

フジカワサチエ | Fujikawa Sachie

所属機関・部署：
職名：助教
ホームページURL (2件)： http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher/ssyjgwKB , http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher_en/ssyjgwKB

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性 , 電子デバイス、電子機器

競争的資金等の研究課題 (18件)：

2024 - 2029 サブバンド間遷移機構の革新による未踏周波数・室温動作THz-QCL実現に関する研究
2023 - 2026 ナローバンドギャップ領域希薄窒化物半導体薄膜の結晶成長技術開拓と物性解析
2024 - 2025 狭バンドギャップ半導体を用いた光熱電変換材料の創製
2023 - 2024 ナローバンドギャップ領域の半導体成長と物性解析
2022 - 2024 希薄窒化物半導体のナローバンドギャップ領域の特性解析

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論文 (43件)：

Mitsuhiro Muta, Hiroyuki Oogami, Kengo Mouri, Hirokazu Kawashima, Noritoshi Maeda, Ajmal Khan, Yukio Kashima, Eriko Katsuura, Yuuki Nakamura, Kou Sumishi, et al. Development of Shorter Wavelength 230 nm-Band Far-UVC LEDs and Realization of High Output Power LED Panels. IEICE Tech. Rep. 2023. 123. 290. 102-105
Narihito Okada, Takahiro Saito, Sachie Fujikawa, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Kazuyuki Tadatomo. Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2022. 588
Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki Fujishiro. Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2022. 40. 3
M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36

MISC (98件)：

平山秀樹, Ajmal Muhammad Khan, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展-Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate-特集深紫外光デバイスの進展とその応用. Optronics : 光技術コーディネートジャーナル. 2024. 43. 5. 76-81
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. 深紫外光デバイスの進展とその応用サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展. Optronics. 2024. 509
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 祝迫恭, 藤川紗千恵, 矢口裕之. 輝きと魅力を増す最近の光源生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展. 光アライアンス. 2024. 35. 7. 1-7
矢野裕子, 高宮健吾, 藤川沙千恵, 八木修平, 矢口裕之, 小林真隆, 秋山英文. 窒素δドープGaAs中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
永田裕弥, 永田裕弥, 仲元寺郁弥, 仲元寺郁弥, 前田哲利, 藤川紗千恵, 藤川紗千恵, 矢口裕之, 祝迫恭, 平山秀樹. 230nm AlGaN far-UVC LEDの発光効率の量子井戸構造依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th

特許 (9件)：

窒化物半導体発光素子の製造方法
窒化物半導体多層構造体の製造方法
発光素子及びその製造方法
窒化物半導体発光素子
発光素子及びその製造方法

講演・口頭発表等 (68件)：

Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
(12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ACSIN-12&ICSPM21))
Reduction of Forward Voltage in 230 nm AlGaN far-UVC LED Using Polarization Assisted AlGaN Hole Injection Layer
(APWS 2024)
GaN系10THz帯量子カスケードレーザー光利得のドーピング濃度依存性
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
AlN基板を用いた片面金属導波路GaN系THz-QCLの導波路解析
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
MBE法を用いたBeドープInSb薄膜の成長と電気的特性評価
(第82回応用物理学会秋季学術講演会 2024)

受賞 (5件)：

2013/04 - 日本学術会議総合工学委員会ICO分科会第三回先端フォトニクスシンポジウム人気ポスター賞
2012/11 - 独立行政法人科学技術振興機構 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウムポスター賞
2012/01 - 理化学研究所平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会ポスター賞
2010/05 - 日本結晶成長学会日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞
2001/03 - 大阪府知事賞

所属学会 (2件)：

応用物理学会結晶工学分科会 , 応用物理学会

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