研究者
J-GLOBAL ID：201601019153827520   更新日: 2024年05月23日

藤川 紗千恵

フジカワ サチエ | Fujikawa Sachie
所属機関・部署：
埼玉大学 理工学研究科

埼玉大学 理工学研究科 について


職名： 助教
ホームページURL (2件)： http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher/ssyjgwKB ,  http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher_en/ssyjgwKB
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2016 - 2019 テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発
  • 2015 - 2018 Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製
  • 2012 - 2015 Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究
  • 2010 - 2011 窒化物半導体を用いた深紫外LED・深紫外LDの開発
論文 (34件)：
  • Narihito Okada, Takahiro Saito, Sachie Fujikawa, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Kazuyuki Tadatomo. Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2022. 588
  • Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, Hiroki Fujishiro. Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2022. 40. 3
  • M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
  • M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
  • M. Ajmal Khan, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Sachie Fujikawa, Eriko Matsuura, Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama. Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (vol 32, 055702, 2021). NANOTECHNOLOGY. 2021. 32. 36
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MISC (89件)：
  • 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 前田哲利, KHAN Ajmal, 鹿嶋行雄, 松浦恵里子, 中村祐樹, 住司光, et al. 230nm帯far-UVC LEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 288(ED2023 14-37)
  • 藤川紗千恵, 藤原彬嵩, 矢口裕之. 第一原理計算によるInSb1-xNx混晶の電子構造解析. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • 斉藤 貴大, 中村 亮太, 藤川 紗千恵, 金 輝俊, 前田 哲利, 岡田 成仁, 平山 秀樹, 只友 一行. 微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.2. 3557-3557
  • 中村 励志, 藤川 紗千恵, 前田 哲利, 遠藤 聡, 藤代 博記, 平山 秀樹. 電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.2. 3282-3282
  • 石黒 稔也, 中村 励志, 藤川 紗千恵, 前田 哲利, 町田 龍人, 藤代 博記, 平山 秀樹. 240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2018. 2018.2. 3337-3337
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特許 (9件)：
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受賞 (5件)：
  • 2013/04 - 日本学術会議総合工学委員会ICO分科会 第三回先端フォトニクスシンポジウム 人気ポスター賞
  • 2012/11 - 独立行政法人科学技術振興機構 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域 第5回公開シンポジウム ポスター賞
  • 2012/01 - 理化学研究所 平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会 ポスター賞
  • 2010/05 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2001/03 - 大阪府知事賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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