窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西川惠清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-104408
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258097
出願日： 2009年04月22日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】高品質のAlGaInN層からなる窒化物半導体層を形成することが可能な窒化物半導体層の製造方法、および、より高品質のAlGaInN層からなる窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】単結晶基板1の上記一表面側にn形窒化物半導体層3と窒化物半導体発光層6とp形窒化物半導体層7とを有し、窒化物半導体発光層6およびp形窒化物半導体層7がAlaGabIn(1-a-b)N層(0<a<1、0<b<1、1-a-b>0)を有する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、窒化物半導体発光層6およびp形窒化物半導体層7それぞれの窒化物半導体層であるAlaGabIn(1-a-b)N層を成長速度が0.09μm/hよりも小さくなる条件で成長させている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlaGabIn(1-a-b)N層(0<a<1、0<b<1、1-a-b>0)からなる窒化物半導体層の製造方法であって、単結晶基板の一表面側にMOVPE法により前記窒化物半導体層を成長させるにあたり、成長速度が0.09μm/hよりも小さくなる条件で成長させることを特徴とする窒化物半導体層の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/32 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 186 , H01L21/205

Fターム (20件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (4件)

漸変組成の発光層を有する半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-342797 出願人：フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-373224 出願人：松下電器産業株式会社
III族窒化物半導体素子およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-247232 出願人：日本電信電話株式会社

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